|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 7163 | 7164 | 7165 | 7166 | 7167 | 7168 | 7169 | 7170 | 7171 | 7172 | 7173 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
286681BF391Trans GP BJT NPN 300V 0,5A cu 3 pini TO-92 în vracNew Jersey Semiconductor
286682BF3921.000W General Purpose NPN Transistor plastic cu plumb. 250V Vceo, 1.000A Ic, 25-0 hFEContinental Device India Limited
286683BF392NPN SILICON TRANSISTORII PLANAREMicro Electronics
286684BF392Tranzistori de înaltă tensiune (NPN)Motorola
286685BF392Trans GP BJT NPN 300V 0,5A cu 3 pini TO-92 în vracNew Jersey Semiconductor
286686BF3930.625W de înaltă tensiune NPN Transistor Plastic plumb. 300V Vceo, 0.500A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
286687BF393NPN SILICON TRANSISTORII PLANAREMicro Electronics
286688BF393Tranzistori de înaltă tensiune (NPN)Motorola
286689BF393Tranzistor de înaltă tensiune (NPN)Motorola
286690BF393Trans GP BJT NPN 300V 0,5A cu 3 pini TO-92 în vracNew Jersey Semiconductor
286691BF393Tranzistor siliciu plastic NPNON Semiconductor
286692BF393-DTransistor de înaltă tensiune NPN siliciuON Semiconductor
286693BF393ZL1Tranzistor siliciu plastic NPNON Semiconductor
286694BF397PNP SILICON TRANSISTORMicro Electronics
286695BF398PNP SILICON TRANSISTORMicro Electronics
286696BF39931PODURI MOLDOASE CU MONOFAZĂ 0,8 AMP LA 1,5 AMPetc
286697BF39933PODURI MOLDOASE CU MONOFAZĂ 0,8 AMP LA 1,5 AMPetc
286698BF40931PODURI MOLDOASE CU MONOFAZĂ 0,8 AMP LA 1,5 AMPetc
286699BF410TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP CU JUNȚIUNE N-CANAL CU Zgomot redus pentru aplicații RFSiemens
286700BF410ATranzistoare cu efect de câmp de siliciu cu canal NPhilips
286701BF410ATRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP CU JUNȚIUNE N-CANAL CU Zgomot redus pentru aplicații RFSiemens
286702BF410BTranzistoare cu efect de câmp de siliciu cu canal NPhilips
286703BF410BTRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP CU JUNȚIUNE N-CANAL CU Zgomot redus pentru aplicații RFSiemens
286704BF410CTranzistoare cu efect de câmp de siliciu cu canal NPhilips
286705BF410CTRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP CU JUNȚIUNE N-CANAL CU Zgomot redus pentru aplicații RFSiemens
286706BF410DTranzistoare cu efect de câmp de siliciu cu canal NPhilips
286707BF410DTRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP CU JUNȚIUNE N-CANAL CU Zgomot redus pentru aplicații RFSiemens
286708BF414NPN Silicon Transistor RFInfineon
286709BF414NPN Silicon RF Tranzistor (Pentru stadii de zgomot redus, de bază comune VHF și FM)Siemens
286710BF414Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ciUltra CEMI
286711BF415Trans GP BJT NPN 250V 0.1A cu 3 pini TO-126New Jersey Semiconductor
286712BF416Trans GP BJT NPN 250V 0.1A cu 3 pini TO-126New Jersey Semiconductor
286713BF419NPN de înaltă tensiune tranzistorPhilips
286714BF41931PODURI MOLDOASE CU MONOFAZĂ 0,8 AMP LA 1,5 AMPetc
286715BF4200.800W de înaltă tensiune NPN Transistor Plastic plumb. 300V Vceo, 0.500A Ic, 50 hFE.Continental Device India Limited
286716BF420Tranzistoare de semnal mici (NPN)General Semiconductor
286717BF420Tranzistor siliciu NPN cu ...Infineon
286718BF420Transistor de înaltă tensiuneKorea Electronics (KEC)
286719BF420TO-92 Tranzistoare biploare încapsulate din plasticMicro Commercial Components
286720BF420SILICIU TRANSISTOR EPITAXIAL PLANARMicro Electronics
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 7163 | 7164 | 7165 | 7166 | 7167 | 7168 | 7169 | 7170 | 7171 | 7172 | 7173 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com