| 286521 | BF180 | Tranzystor krzemowy ma³ej mocy, wielkiej czêstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286522 | BF180 | Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286523 | BF181 | Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286524 | BF181 | Tranzystor krzemowy ma³ej mocy, wielkiej czêstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286525 | BF182 | Scopul 0.150W General NPN metal poate tranzistor. 20V Vceo, 0.020A Ic, 10 hFE. | Continental Device India Limited |
| 286526 | BF182 | Tranzystor krzemowy ma³ej mocy, wielkiej czêstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286527 | BF182 | Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286528 | BF183 | Tranzystor krzemowy ma³ej mocy, wielkiej czêstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286529 | BF183 | Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286530 | BF194 | Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286531 | BF194 | Tranzystor krzemowy ma³ej mocy, wielkiej czêstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286532 | BF195 | Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286533 | BF195 | Tranzystor krzemowy ma³ej mocy, wielkiej czêstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286534 | BF196 | Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286535 | BF196 | Tranzystor krzemowy ma³ej mocy, wielkiej czêstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286536 | BF197 | Tranzystor krzemowy ma³ej mocy, wielkiej czêstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286537 | BF197 | Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286538 | BF198 | NPN Silicon Transistor RF | Siemens |
| 286539 | BF199 | 0.350W RF NPN Transistor. 25V Vceo, 0.100A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 286540 | BF199 | Tranzistor de frecvență radio NPN | Fairchild Semiconductor |
| 286541 | BF199 | NPN SILICON TRANSITOR EPITAXIAL PLANAR | Micro Electronics |
| 286542 | BF199 | Tranzistor RF | Motorola |
| 286543 | BF199 | NPN frecvență medie tranzistor | Philips |
| 286544 | BF200 | Scopul 0.150W General NPN metal poate tranzistor. 20V Vceo, 0.020A Ic, 15-40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 286545 | BF200 | Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286546 | BF200 | Tranzystor krzemowy ma³ej mocy, wielkiej czêstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286547 | BF2000 | Silicon N Channel MOSFET Tetrode | Siemens |
| 286548 | BF2000W | Silicon N Channel MOSFET Tetrode (tranzistor cu canale scurte cu factor de calitate S / C ridicat Pentru trepte de intrare cu zgomot redus, controlate de câștig de până la 1 GHz) | Siemens |
| 286549 | BF2030 | RF-MOSFET - rețea integrată semi-polarizare, VDS = 5V, gfs = 31mS, Gp = 23dB, F = 1,5dB | Infineon |
| 286550 | BF2030 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V) | Siemens |
| 286551 | BF2030R | RF-MOSFET - rețea integrată semi-polarizare, VDS = 5V, gfs = 31mS, Gp = 23dB, F = 1,5dB | Infineon |
| 286552 | BF2030W | RF-MOSFET - rețea integrată semi-polarizare, VDS = 5V, gfs = 31mS, Gp = 23dB, F = 1,5dB | Infineon |
| 286553 | BF2030W | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V) | Siemens |
| 286554 | BF2040 | RF-MOSFET - rețea semi-polarizată integrată, VDS = 5V, gfs = 41mS, Gp = 23dB, F = 1,5dB | Infineon |
| 286555 | BF2040 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V) | Siemens |
| 286556 | BF2040R | RF-MOSFET - rețea semi-polarizată integrată, VDS = 5V, gfs = 41mS, Gp = 23dB, F = 1,5dB | Infineon |
| 286557 | BF2040W | RF-MOSFET - rețea semi-polarizată integrată, VDS = 5V, gfs = 41mS, Gp = 23dB, F = 1,5dB | Infineon |
| 286558 | BF2040W | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V) | Siemens |
| 286559 | BF214 | Tranzystor krzemowy ma³ej mocy, wielkiej czêstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
| 286560 | BF214 | Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ci | Ultra CEMI |
