|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29453 | 29454 | 29455 | 29456 | 29457 | 29458 | 29459 | 29460 | 29461 | 29462 | 29463 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1178281MTW10N100EINVECHITE - MOSFET de putere 10 amperi, 1000 de volțiON Semiconductor
1178282MTW10N100E-DMOSFET de putere 10 Amperi, 1000 Volți N-Channel TO-247ON Semiconductor
1178283MTW14N50ETMOS POWER FET 14 AMPERI 500 VOLTS RDS (pornit) = 0,40 OHMMotorola
1178284MTW14N50EOBSOLETE - MOSFET de putere 14 A, 500 V, N-canal pentru a-247ON Semiconductor
1178285MTW14N50E-DPutere MOSFET 14 Amperi, 500 Volți N-Channel TO-247ON Semiconductor
1178286MTW16N40ETMOS POWER FET 16 AMPERI 400 VOLȚI RDS (pornit) = 0,24 OHMMotorola
1178287MTW16N40EINVECHITE - MOSFET de putere 16 amperi, 400 de voltiON Semiconductor
1178288MTW16N40E-DMOSFET de putere 16 amperi, 400 volți canal N TO-247ON Semiconductor
1178289MTW20N50ETMOS POWER FET 20 AMPERI 500 VOLTS RDS (pornit) = 0,24 OHMMotorola
1178290MTW20N50EINVECHITE - MOSFET de putere 20 amperi, 500 de voltiON Semiconductor
1178291MTW20N50E-DPutere MOSFET 20 Amperi, 500 Volți N-Channel TO-247ON Semiconductor
1178292MTW23N25ETMOS POWER FET 23 AMPERI 250 VOLȚI RDS (pornit) = 0,11 OHMMotorola
1178293MTW24N40ETMOS POWER FET 24 AMPERI 400 VOLȚI RDS (pornit) = 0,16 OHMMotorola
1178294MTW24N40EINVECHITE - MOSFET de putere 24 amperi, 400 de voltiON Semiconductor
1178295MTW24N40E-DPutere MOSFET 24 Amperi, 400 Volți N-Canal TO-247ON Semiconductor
1178296MTW26N15ETMOS POWER FET 26 AMPERI 150 VOLTS RDS (pornit) = 0,095 OHMMotorola
1178297MTW32N20ETMOS POWER FET 32 AMPERI 200 VOLȚI RDS (pornit) = 0,075 OHMMotorola
1178298MTW32N20EMOSFET de putere 32 Amperi, 200 VolțiON Semiconductor
1178299MTW32N20E-DPutere MOSFET 32 Amperi, 200 volți canal N TO-247ON Semiconductor
1178300MTW32N25TMOS POWER FET 32 AMPERI 250 VOLȚI RDS (pornit) = 0,08 OHMMotorola
1178301MTW32N25ETMOS POWER FET 32 AMPERI 250 VOLȚI RDS (pornit) = 0,08 OHMMotorola
1178302MTW32N25EMOSFET de putere 32 amperi, 250 de voltiON Semiconductor
1178303MTW32N25E-DPutere MOSFET 32 Amperi, 250 volți N-Channel TO-247ON Semiconductor
1178304MTW33N10ETMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS (pornit) = 0,06 OHMMotorola
1178305MTW35N15ETMOS POWER FET 35 AMPERI 150 VOLTS RDS (pornit) = 0,05 OHMMotorola
1178306MTW35N15EINVECHITE - MOSFET de putere 35 amperi, 150 de voltiON Semiconductor
1178307MTW35N15E-DMOSFET de putere 35 amperi, canal N de 150 volți TO-247ON Semiconductor
1178308MTW45N10TMOS POWER FET 45 AMPERI 100 VOLTS RDS (pornit) = 0,035 OHMMotorola
1178309MTW45N10ETMOS POWER FET 45 AMPERI 100 VOLTS RDS (pornit) = 0,035 OHMMotorola
1178310MTW45N10E-DMOSFET de putere 45 Amperi, 100 VolțiON Semiconductor
1178311MTW4N80TMOS E-FET POWER POWER EFFECT TRANSISITOR N-CANAL ÎMBUNĂTĂȚIRE-MOD SILICON PORTMotorola
1178312MTW4N80ETMOS E-FET POWER POWER EFFECT TRANSISITOR N-CANAL ÎMBUNĂTĂȚIRE-MOD SILICON PORTMotorola
1178313MTW54N05EEnergie ridicată în modurile Avalanche și CommutationMotorola
1178314MTW6N100TMOS POWER FET 6,0 AMPERI 1000 VOLȚI RDS (pornit) = 1,5 OHMMotorola
1178315MTW6N100ETMOS POWER FET 6,0 AMPERI 1000 VOLȚI RDS (pornit) = 1,5 OHMMotorola
1178316MTW6N100EMOSFET de putere 6 amperi, 1000 de volțiON Semiconductor
1178317MTW6N100E-DMOSFET de putere 6 amperi, 1000 de volțiON Semiconductor
1178318MTW6N60ETranzistor cu efect de câmp de putere Poartă din silicon în modul de îmbunătățire a canalului NMotorola
1178319MTW7N80ETMOS POWER FET 7,0 AMPERI 800 VOLȚI RDS (pornit) = 1,0 OHMMotorola
1178320MTW7N80EINVECHITE - MOSFET de putere 7 amperi, 800 de voltiON Semiconductor
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29453 | 29454 | 29455 | 29456 | 29457 | 29458 | 29459 | 29460 | 29461 | 29462 | 29463 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com