| 1177761 | MTP10N10EL | TMOS POWER FET 10 AMPERI 100 VOLȚI RDS (pornit) = 0,22 OHMS | Motorola |
| 1177762 | MTP10N10EL | MOSFET de putere 10 Amperi, 100 Volți, Nivel Logic | ON Semiconductor |
| 1177763 | MTP10N10EL-D | MOSFET de putere 10 Amperi, 100 Volți, Nivel Logic Canal N TO-220 | ON Semiconductor |
| 1177764 | MTP10N10ELG | MOSFET de putere 10 Amperi, 100 Volți, Nivel Logic | ON Semiconductor |
| 1177765 | MTP10N10L | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin (3 + Tab) Șină TO-220 | New Jersey Semiconductor |
| 1177766 | MTP10N15 | TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTERE | Motorola |
| 1177767 | MTP10N25 | TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTERE | Motorola |
| 1177768 | MTP10N35 | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin (3 + Tab) TO-220 | New Jersey Semiconductor |
| 1177769 | MTP10N40 | TMOS POWER FET 10 AMPERI 400 VOLȚI RDS (pornit) = 0,55 OHMS | Motorola |
| 1177770 | MTP10N40 | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin (3 + Tab) TO-220 | New Jersey Semiconductor |
| 1177771 | MTP10N40E | TMOS POWER FET 10 AMPERI 400 VOLȚI RDS (pornit) = 0,55 OHMS | Motorola |
| 1177772 | MTP10N40E | 10 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 400 | ON Semiconductor |
| 1177773 | MTP10N40E-D | TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | ON Semiconductor |
| 1177774 | MTP10N60E7 | TMOS 7 E-FET ™ FET de mare energie | ON Semiconductor |
| 1177775 | MTP10N60E7-D | TMOS 7 E-FET Putere înaltă energie FET Poarta din silicon în modul îmbunătățire a canalului N | ON Semiconductor |
| 1177776 | MTP12N05E | TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTERE | Motorola |
| 1177777 | MTP12N06 | TMOS POWER FET 12 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0.180 OHM | Motorola |
| 1177778 | MTP12N06EZL | TMOS POWER FET 12 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0.180 OHM | Motorola |
| 1177779 | MTP12N06EZL | OBSOLETE - N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | ON Semiconductor |
| 1177780 | MTP12N06EZL-D | TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | ON Semiconductor |
| 1177781 | MTP12N08L | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin (3 + Tab) TO-220 | New Jersey Semiconductor |
| 1177782 | MTP12N10E | TMOS POWER FET 12 AMPERI 100 VOLȚI RDS (pornit) = 0,16 OHM | Motorola |
| 1177783 | MTP12N10E | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin (3 + Tab) Șină TO-220 | New Jersey Semiconductor |
| 1177784 | MTP12N10E | OBSOLETE - 12 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 100 | ON Semiconductor |
| 1177785 | MTP12N10E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N | ON Semiconductor |
| 1177786 | MTP12N10L | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin (3 + Tab) Șină TO-220 | New Jersey Semiconductor |
| 1177787 | MTP12N18 | MOSFET-uri de putere N-Channel, 12A, 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 1177788 | MTP12N18 | Trans MOSFET N-CH 180V 12A | New Jersey Semiconductor |
| 1177789 | MTP12N20 | MOSFET-uri de putere N-Channel, 12A, 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 1177790 | MTP12N20 | Trans MOSFET N-CH 200V 12A | New Jersey Semiconductor |
| 1177791 | MTP12P05 | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin (3 + Tab) TO-220AB Sina | New Jersey Semiconductor |
| 1177792 | MTP12P06 | TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTERE | Motorola |
| 1177793 | MTP12P06 | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin (3 + Tab) TO-220AB Sina | New Jersey Semiconductor |
| 1177794 | MTP12P08 | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin (3 + Tab) TO-220AB Sina | New Jersey Semiconductor |
| 1177795 | MTP12P10 | TMOS POWER FET 12 AMPERI 100 VOLȚI RDS (pornit) = 0,3 OHM | Motorola |
| 1177796 | MTP12P10 | TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTERE | Motorola |
| 1177797 | MTP12P10 | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin (3 + Tab) TO-220AB Sina | New Jersey Semiconductor |
| 1177798 | MTP12P10 | MOSFET de putere 12 Amperi, 100 Volți | ON Semiconductor |
| 1177799 | MTP12P10-D | MOSFET de putere 12 Amperi, 100 volți P-Channel TO-220 | ON Semiconductor |
| 1177800 | MTP1302 | TMOS POWER FET 42 AMPERES 30 VOLTS RDS (pornit) = 22 mohm | Motorola |
