|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29441 | 29442 | 29443 | 29444 | 29445 | 29446 | 29447 | 29448 | 29449 | 29450 | 29451 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1177801MTP1302INVECHITE - MOSFET de putere 42 Amperi, 30 de voltiON Semiconductor
1177802MTP1302-DMOSFET de putere 42 Amperi, 30 Volți N-Channel TO-220ON Semiconductor
1177803MTP1306TMOS POWER FET 75 AMPERI 30 VOLȚI RDS (pornit) = 0,0065 OHMMotorola
1177804MTP1306MOSFET de putere 75 Amperi, 30 VolțiON Semiconductor
1177805MTP1306-DMOSFET de putere 75 amperi, 30 volți canal N TO-220ON Semiconductor
1177806MTP156K00691DCondensatoare umede de tantal subminiaturale, cabluri axialeVishay
1177807MTP156M00691DCondensatoare umede de tantal subminiaturale, cabluri axialeVishay
1177808MTP15N05Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin (3 + Tab) TO-220ABNew Jersey Semiconductor
1177809MTP15N05ETrans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1177810MTP15N05ELTRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTEREMotorola
1177811MTP15N05LTRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTEREMotorola
1177812MTP15N05LTrans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1177813MTP15N06Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin (3 + Tab) TO-220ABNew Jersey Semiconductor
1177814MTP15N06ETrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin (3 + Tab) TO-220ABNew Jersey Semiconductor
1177815MTP15N06LTRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTEREMotorola
1177816MTP15N06LTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin (2 + Tab) TO-204AANew Jersey Semiconductor
1177817MTP15N06VTMOS POWER FET 15 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,12 OHMMotorola
1177818MTP15N06VMOSFET de putere 15 Amperi, 60 de voltiON Semiconductor
1177819MTP15N06V-DMOSFET de putere 15 amperi, 60 volți canal N TO-220ON Semiconductor
1177820MTP15N06VLTMOS POWER FET 15 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,085 OHMMotorola
1177821MTP15N06VLMOSFET de putere 15 Amperi, 60 de volti, Logic LevelON Semiconductor
1177822MTP15N06VL-DMOSFET de putere 15 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic N-Canal TO-220ON Semiconductor
1177823MTP15N15TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTEREMotorola
1177824MTP16N25ETMOS POWER FET 16 AMPERI 250 VOLȚI RDS (pornit) = 0,25 OHMMotorola
1177825MTP16N25EOBSOLETE - 16 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 250ON Semiconductor
1177826MTP16N25E-DTranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal NON Semiconductor
1177827MTP1N100ETMOS POWER FET 1,0 AMPERI 1000 VOLȚI RDS (pornit) = 9,0 OHMMotorola
1177828MTP1N100E1 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 1000ON Semiconductor
1177829MTP1N100E-DTMOS E-FET Tranzistor cu efect de câmp de putere Îmbunătățirea canalului N - Poartă din silicon în modON Semiconductor
1177830MTP1N50ETMOS POWER FET 1,0 AMPERI 500 VOLȚI RDS (activat) = 5,0 OHMMotorola
1177831MTP1N50EOBSOLETE - MOSFET de putere 1 A, 500 V N-canal pentru a-220ON Semiconductor
1177832MTP1N50E-DMOSFET de putere 1 Amp, 500 volți canal N TO-220ON Semiconductor
1177833MTP1N60Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin (3 + Tab) Șină TO-220New Jersey Semiconductor
1177834MTP1N60ETMOS POWER FET 1,0 AMPERI 600 VOLȚI RDS (activat) = 8,0 OHMMotorola
1177835MTP1N60EOBSOLETE - 1 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 600ON Semiconductor
1177836MTP1N60E-DPutere MOSFET 1 Amp, 600 volți N-Channel TO-220ON Semiconductor
1177837MTP1N80ETMOS POWER FET 1,0 AMPERI 800 VOLȚI RDS (activat) = 12 OHMSMotorola
1177838MTP20N06TMOS POWER FET 20 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,080 OHMMotorola
1177839MTP20N06VTMOS POWER FET 20 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,080 OHMMotorola
1177840MTP20N06VMOSFET de putere 20 Amperi, 60 de voltiON Semiconductor
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29441 | 29442 | 29443 | 29444 | 29445 | 29446 | 29447 | 29448 | 29449 | 29450 | 29451 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com