| Nr. | Nume | Descriere |
|---|
| 6001 | Q62702-F1291 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz Pentru amplificatoare liniare în bandă largă) |
| 6002 | Q62702-F1292 | NPN Silicon RF Transistor (pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, distorsiune redusă în antenă și telecomunicații) |
| 6003 | Q62702-F1296 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de putere redusă în sistemele de comunicații mobile pager la curenți de colector de la 0,2mA la 2,5mA) |
| 6004 | Q62702-F1298 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu putere redusă în sistemele de comunicații mobile) |
| 6005 | Q62702-F1303 | Tranzistoare de înaltă tensiune din silicon NPN (Potrivite pentru etapele de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de rupere ridicată) |
| 6006 | Q62702-F1304 | PNP Silicon High Voltage Tranzistors (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de defectare mare) |
| 6007 | Q62702-F1305 | PNP Silicon High Voltage Tranzistors (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de defectare mare) |
| 6008 | Q62702-F1306 | Tranzistoare de înaltă tensiune din silicon NPN (Potrivite pentru etapele de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de rupere ridicată) |
| 6009 | Q62702-F1309 | PNP Silicon High Voltage Tranzistors (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de defectare mare) |
| 6010 | Q62702-F1312 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz Pentru amplificatoare liniare în bandă largă) |
| 6011 | Q62702-F1314 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 0,5 mA la 12mA) |
| 6012 | Q62702-F1315 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA) |
| 6013 | Q62702-F1316 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curent colector de la 2 mA la 30mA) |
| 6014 | Q62702-F1320 | NPN Silicon RF Transistor (pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, distorsiune redusă în antenă și telecomunicații) |
| 6015 | Q62702-F1321 | PNP Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu distorsiune redusă în antenă și telecomunicații) |
| 6016 | Q62702-F1322 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru trepte de amplificare cu ieșire în bandă largă cu distorsiune redusă în antenă și telecomunicații) |
| 6017 | Q62702-F133 | Tranzistoare plane silicon NPN |
| 6018 | Q62702-F134 | Tranzistoare plane silicon NPN |
| 6019 | Q62702-F1346 | PNP Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu distorsiune redusă în antenă și telecomunicații) |
| 6020 | Q62702-F1347 | PNP Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu distorsiune redusă în sisteme de antenă și telecomunicații de până la 1,5 GHz la curenții colectorului) |
| 6021 | Q62702-F135 | Tranzistoare plane silicon NPN |
| 6022 | Q62702-F1359 | NPN Silicon RF Transistor (pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, distorsiune redusă în antenă) |
| 6023 | Q62702-F137 | PNP SILICON TRANSISTORII PLANARE |
| 6024 | Q62702-F1372 | Triod MOS FET Silicon N Channel (pentru trepte RF până la 300 MHz, de preferință în aplicații FM) |
| 6025 | Q62702-F1377 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de putere redusă în sistemele de comunicații mobile pager la curenți de colector de la 0,2 la 2,5mA) |
| 6026 | Q62702-F1378 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu putere redusă în sistemele de comunicații mobile) |
| 6027 | Q62702-F1382 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 2 mA la 30 mA) |
| 6028 | Q62702-F1391 | GaAs MMIC (FIA GaAs Dual Gate Gaias) |
| 6029 | Q62702-F1393 | GaAs FET (Zgomot redus Câștig ridicat pentru amplificatoare frontale cu zgomot redus Pentru convertoare DBS în jos) |
| 6030 | Q62702-F1394 | GaAs FET (Zgomot redus Câștig ridicat pentru amplificatoare frontale cu zgomot redus Pentru convertoare DBS în jos) |
| 6031 | Q62702-F1396 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA) |
| 6032 | Q62702-F1426 | TRANSISTOR NPN SILICON RF (PENTRU CONVERTITOARE DE FRECVENȚĂ UHF / VHF ȘI OSCILATORI LOCALI) |
| 6033 | Q62702-F1432 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru trepte de amplificare cu ieșire în bandă largă cu distorsiune redusă în antenă și telecomunicații) |
| 6034 | Q62702-F1487 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 12V Rețea de polarizare stabilizată integrată |
| 6035 | Q62702-F1488 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă de până la 2 GHz și comutatoare rapide nesaturate la curenți de colector de la 0,5 mA la 20 mA) |
| 6036 | Q62702-F1489 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare și oscilatoare cu bandă largă cu distorsiune redusă până la 2GHz la curenți de colector de la 5 mA la 30 mA) |
| 6037 | Q62702-F1490 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de putere redusă în sistemele de comunicații mobile pager la curenți de colector de la 0,2mA la 2,5mA) |
| 6038 | Q62702-F1491 | NPN Silicon RF Transistor) Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 0,5 mA la 12mA |
| 6039 | Q62702-F1492 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA) |
| 6040 | Q62702-F1493 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curent colector de la 2 mA la 30mA) |
| 6041 | Q62702-F1494 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu putere redusă în sistemele de comunicații mobile |
| 6042 | Q62702-F1498 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V Rețea de polarizare stabilizată integrată) |
| 6043 | Q62702-F1500 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de putere redusă în sistemele de comunicații mobile pager la curenți de colector de la 0,2 la 2,5mA) |
| 6044 | Q62702-F1501 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 0,5mA la 12mA) |
| 6045 | Q62702-F1502 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA) |
| 6046 | Q62702-F1503 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 2 mA la 30 mA) |
| 6047 | Q62702-F1504 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu putere redusă în sistemele de comunicații mobile) |
| 6048 | Q62702-F1510 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz Pentru amplificatoare liniare în bandă largă) |
| 6049 | Q62702-F1519 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru modulatoare și amplificatoare în tunere TV și VCR) |
| 6050 | Q62702-F1520 | NPN Silicon RF Tranzistor (potrivit în special pentru tunere TV-sat și UHF) |
| 6051 | Q62702-F1531 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu putere redusă în sistemele de comunicații mobile) |
| 6052 | Q62702-F1549 | AlGaAs / InGaAs HEMT (Zgomot foarte mic Câștig foarte mare Pentru amplificatoare frontale cu zgomot redus de până la 20 GHz Pentru convertoarele DBS down |
| 6053 | Q62702-F1559 | AlGaAs / InGaAs HEMT (Zgomot foarte mic Câștig foarte mare Pentru amplificatoare frontale cu zgomot redus de până la 20 GHz Pentru convertoarele DBS down |
| 6054 | Q62702-F1568 | PNP Silicon RF Transistor (Pentru aplicații cu oscilatoare VHF) |
| 6055 | Q62702-F1571 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru aplicații de amplificare liniară în bandă largă de până la 500MHz driver de filtru SAW în tunere TV) |
| 6056 | Q62702-F1572 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificator de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 0,5 la 12 mA) |
| 6057 | Q62702-F1573 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA.) |
| 6058 | Q62702-F1574 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificator de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curent colector de la 2mA la 28mA) |
| 6059 | Q62702-F1575 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificator de putere în sistemele DECT și PCN) |
| 6060 | Q62702-F1576 | NPN Silicon RF Transistor (pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, distorsiune redusă în antenă și telecomunicații) |
| 6061 | Q62702-F1577 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz Pentru amplificatoare liniare în bandă largă) |
| 6062 | Q62702-F1582 | PNP Silicon RF Transistor (Pentru oscilatoare, mixer și trepte de mixare auto-oscilante în tuner TV UHF) |
| 6063 | Q62702-F1586 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (tranzistor cu canal scurt cu factor de calitate S / C ridicat) |
| 6064 | Q62702-F1587 | SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (Pentru trepte de intrare cu zgomot redus, controlate de câștig până la 1 GHz) |
| 6065 | Q62702-F1590 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de putere medie) |
| 6066 | Q62702-F1591 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu câștig ridicat cu zgomot redus Pentru oscilatoare de până la 10 GHz) |
| 6067 | Q62702-F1592 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru aplicații cu curent redus Pentru oscilatoare de până la 12 GHz) |
| 6068 | Q62702-F1594 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 2 mA la 28 mA) |
| 6069 | Q62702-F1601 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA) |
| 6070 | Q62702-F1611 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus de până la 2 GHz la curenți de colector de la 0,5 mA la 20 mA.) |
| 6071 | Q62702-F1613 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 9 V Rețea de polarizare stabilizată integrată |
| 6072 | Q62702-F1627 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V Rețea de polarizare stabilizată integrată) |
| 6073 | Q62702-F1628 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 9V Rețea de polarizare integrată) |
| 6074 | Q62702-F1645 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă de până la 1 GHz la curenți de colector de la 1mA la 20mA) |
| 6075 | Q62702-F1665 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V Rețea de polarizare stabilizată integrată) |
| 6076 | Q62702-F1681 | PNP Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă de până la 2GHz la curenți de colector de până la 20mA) |
| 6077 | Q62702-F1685 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 0,5mA la 12mA) |
| 6078 | Q62702-F1771 | Silicon N Channel MOSFET Tetrode |
| 6079 | Q62702-F1772 | Silicon N Channel MOSFET Tetrode (tranzistor cu canale scurte cu factor de calitate S / C ridicat Pentru trepte de intrare cu zgomot redus, controlate de câștig de până la 1 GHz) |
| 6080 | Q62702-F1773 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V) |
| 6081 | Q62702-F1774 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V) |
| 6082 | Q62702-F1775 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V) |
| 6083 | Q62702-F1776 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V) |
| 6084 | Q62702-F1794 | NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificator cu cel mai mare câștig la zgomot redus la 1,8 GHz și 2 mA / 2 V) |
| 6085 | Q62702-F182 | Tranzistoare cu efect de câmp de joncțiune N-Channel |
| 6086 | Q62702-F205 | Tranzistoare cu efect de câmp de joncțiune N-Channel |
| 6087 | Q62702-F209 | Tranzistoare cu efect de câmp de joncțiune N-Channel |
| 6088 | Q62702-F219 | TRANSISTORI DE EFECT DE CÂMP JUNȚIUNE N-CANAL |
| 6089 | Q62702-F236 | Tranzistoare cu efect de câmp de joncțiune N-Channel |
| 6090 | Q62702-F250 | TRANSISTORI DE EFECT DE CÂMP JUNȚIUNE N-CANAL |
| 6091 | Q62702-F254 | TRANSISTORI DE EFECT DE CÂMP JUNȚIUNE N-CANAL |
| 6092 | Q62702-F296 | NPN SILICON TRANSISTOR PENTRU AMPLIFICATOR DE LARGĂ RF |
| 6093 | Q62702-F311 | PNP SILICON RF TRANSISTOR |
| 6094 | Q62702-F315 | TRANSISTORE RF SILICON NPN |
| 6095 | Q62702-F316 | TRANSISTORE RF SILICON NPN |
| 6096 | Q62702-F317 | TRANSISTORE RF SILICON NPN |
| 6097 | Q62702-F319 | NPN SILICON RF LARGĂ BANDĂ TRANSISTOR |
| 6098 | Q62702-F320 | NPN SILICON RF LARGĂ BANDĂ TRANSISTOR |
| 6099 | Q62702-F321 | NPN SILICON RF TRANSISTORI DE BANDĂ LARGĂ |
| 6100 | Q62702-F346-S1 | NPN SILICON TRANSISTOR PENTRU AMPLIFICATOARE RF CU LARGĂ ZGOMOTĂ RF |
| | |
