|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Siemens

Datasheet Catalog - Pagina 13

Datasheet-uri găsite :: 7901Pagina: | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 |
Nr.NumeDescriere
1201BF987SILICON N CHANNEL MOSFET TRIODE (Pentru trepte de frecvență înaltă de până la 300 MHz, de preferință în aplicații FM Capacitate mare de suprasarcină)
1202BF994Silicon N Channel MOSFET Tetrode (pentru aplicații VHF / în special pentru trepte de intrare și mixer cu o gamă largă de reglare / de exemplu în tunere CATV)
1203BF994SSilicon N Channel MOSFET Tetrode (Pentru aplicații VHF, în special pentru trepte de intrare și mixer cu o gamă largă de reglare, de ex. În tunere CATV)
1204BF995Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Pentru etapele de intrare și mixer în tunere TV FM și VHF)
1205BF996SSilicon N Channel MOSFET Tetrode (Pentru etapele de intrare în tunerele TV UHF Transconductanță ridicată Zgomot redus)
1206BF997Silicon N Channel MOSFET Tetrode (rețea de suprimare integrată împotriva oscilațiilor false VHF)
1207BF998Silicon N Channel MOSFET Tetrode (tranzistor cu canale scurte cu factor de calitate S / C ridicat Pentru trepte de intrare cu zgomot redus, controlate de câștig de până la 1 GHz)
1208BF998RSilicon N-Channel MOSFET Tetrode (tranzistor cu canal scurt cu factor de calitate S / C ridicat)
1209BF998WSilicon N-Channel MOSFET Tetrode (tranzistor cu canal scurt cu factor de calitate S / C ridicat)
1210BF999Triod MOSFET Silicon N Channel (pentru trepte de înaltă frecvență de până la 300 MHz, de preferință în aplicații FM)
1211BFG135ANPN Silicon RF Transistor (Pentru trepte de amplificare cu ieșire în bandă largă cu distorsiune redusă în antenă și telecomunicații)
1212BFG19NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus / distorsiune redusă în antenă)
1213BFG193NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz Pentru amplificatoare liniare în bandă largă)
1214BFG194PNP Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu distorsiune redusă în antenă și telecomunicații)
1215BFG196NPN Silicon RF Transistor (pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, distorsiune redusă în antenă și telecomunicații)
1216BFG19SNPN Silicon RF Transistor (pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, distorsiune redusă în antenă)
1217BFG235NPN Silicon RF Transistor (Pentru trepte de amplificare cu ieșire în bandă largă cu distorsiune redusă în antenă și telecomunicații)
1218BFN 39PNP Silicon High Voltage Tranzistors (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de defectare mare)
1219BFN20Tranzistor de înaltă tensiune din silicon NPN (potrivit pentru etape de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de rupere ridicată)
1220BFN21PNP Silicon High Voltage Transistor (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de rupere ridicată)
1221BFN26Tranzistoare de înaltă tensiune din silicon NPN (Potrivite pentru etapele de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de rupere ridicată)
1222BFN27PNP Silicon High Voltage Tranzistors (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de defectare mare)
1223BFN36Tranzistoare de înaltă tensiune din silicon NPN (Potrivite pentru etapele de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de rupere ridicată)
1224BFN37PNP Silicon High Voltage Tranzistors (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de defectare mare)
1225BFN38Tranzistoare de înaltă tensiune din silicon NPN (Potrivite pentru etapele de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de rupere ridicată)
1226BFP136NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificator de putere în sistemele DECT și PCN)
1227BFP136WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificator de putere în sistemele DECT și PCN)
1228BFP180NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de putere redusă în sistemele de comunicații mobile pager la curenți de colector de la 0,2 la 2,5mA)
1229BFP180WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de putere redusă în sistemele de comunicații mobile pager la curenți de colector de la 0,2 la 2,5mA)
1230BFP181NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 0,5mA la 12mA)
1231BFP181RNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 0,5mA la 12mA)
1232BFP181WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 0,5mA la 12mA)
1233BFP182NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA)
1234BFP182RNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA)
1235BFP182WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA)
1236BFP183NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 2 mA la 30 mA)
1237BFP183RNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 2 mA la 28 mA)
1238BFP183WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 2 mA la 30 mA)
1239BFP193NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz Pentru amplificatoare liniare în bandă largă)
1240BFP193WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz Pentru amplificatoare liniare în bandă largă)
1241BFP194PNP Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu distorsiune redusă în sisteme de antenă și telecomunicații de până la 1,5 GHz la curenții colectorului)
1242BFP196NPN Silicon RF Transistor (pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, distorsiune redusă în antenă și telecomunicații)
1243BFP196WNPN Silicon RF Transistor (pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, distorsiune redusă în antenă și telecomunicații)
1244BFP22Tranzistori de siliciu NPN (tensiune de rupere ridicată l tensiune de saturație scăzută a colectorului-emițător
1245BFP23Tranzistoare de siliciu PNP (tensiune de rupere ridicată Tensiune de saturație scăzută a colector-emițător)
1246BFP25Tranzistori de siliciu NPN (tensiune de rupere ridicată l tensiune de saturație scăzută a colectorului-emițător
1247BFP280NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu putere redusă în sistemele de comunicații mobile)
1248BFP280WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu putere redusă în sistemele de comunicații mobile)
1249BFP405NPN Silicon RF Transistor (Pentru aplicații cu curent redus Pentru oscilatoare de până la 12 GHz)
1250BFP420NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu câștig ridicat cu zgomot redus Pentru oscilatoare de până la 10 GHz)
1251BFP450NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de putere medie)
1252BFP490Tranzistor RF NPN din siliciu (Q62702-F1721)
1253BFP520NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificator cu cel mai mare câștig la zgomot redus la 1,8 GHz și 2 mA / 2 V)
1254BFP81NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus de până la 2 GHz la curenți de colector de la 0,5 mA la 20 mA.)
1255BFP93NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare și oscilatoare cu bandă largă cu distorsiune redusă până la 2GHz la curenți de colector de la 5 mA la 30 mA)
1256BFP93ANPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare și oscilatoare cu bandă largă cu distorsiune redusă până la 2GHz la curenți de colector de la 5 mA la 30 mA)
1257BFQ193NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz Pentru amplificatoare liniare în bandă largă)
1258BFQ19SNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, distorsiune redusă în antenă și)
1259BFQ28TRANSISTOR CU MICROUNDĂ CU SILICIU NPN CU Zgomot redus până la 4GHz
1260BFQ29NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare IF cu zgomot redus și bandă largă de până la 1 GHz la curenți de colector de la 1 mA la 20 mA.)
1261BFQ29PNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare IF cu zgomot redus și bandă largă de până la 1 GHz la curenți de colector de la 1 mA la 20 mA.)
1262BFQ60TRANSISTOR MICROVAVE CU SILICIU NPN CU Zgomot redus până la 2 GHz
1263BFQ70NPN Silicon RF Tranzistor (Pentru amplificatoare IF și de bandă largă cu zgomot redus în sisteme de antenă și telecomunicații la curenți de colector de la 2mA la 20mA)
1264BFQ71NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă de până la 2 GHz și comutatoare rapide nesaturate la curenți de colector de la 1 mA la 20 mA.)
1265BFQ72NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu distorsiune redusă de până la 2 GHz la curenți de colector de la 10 mA la 30 mA.)
1266BFQ73TRANSISTOR NPN SILICON RF (PENTRU AMPLIFICATORI DE LARGĂ LARGĂ CU Zgomot redus / LENT DISTORȚIONAT ÎN ANTENĂ ȘI SISTEME DE TELECOMUNICAȚII PÂNĂ LA 2GHz)
1267BFQ73SNPN SILICON RF TRANSISTOR (PENTRU AMPLIFICATORI DE LARGĂ LARGĂ CU Zgomot redus, cu distorsiune redusă în sisteme de antenă și TELECOMUNICAȚII PÂNĂ LA 2GHz)
1268BFQ74NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus din gama GHz și aplicații analogice și digitale în bandă largă)
1269BFQ75PNP Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă de până la 2 GHz la curenți de colector de la 5 mA la 30 mA.)
1270BFQ76PNP Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă de până la 2 GHz la curenți de colector de până la 20 mA.)
1271BFQ81NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus de până la 2 GHz și aplicații analogice și digitale în bandă largă)
1272BFQ82NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz. Aplicații liniare în bandă largă la curenți de colector de până la 40 mA.)
1273BFR106NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat Pentru amplificatoare liniare în bandă largă)
1274BFR14BNPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR PÂNĂ LA 2GHz
1275BFR14CNPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR PÂNĂ LA 2GHz
1276BFR180NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de putere redusă în sistemele de comunicații mobile pager la curenți de colector de la 0,2mA la 2,5mA)
1277BFR180WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de putere redusă în sistemele de comunicații mobile pager la curenți de colector de la 0,2mA la 2,5mA)
1278BFR181NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 0,5 mA la 12mA)
1279BFR181WNPN Silicon RF Transistor) Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 0,5 mA la 12mA
1280BFR182NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA)
1281BFR182WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curenți de colector de la 1mA la 20mA)
1282BFR183NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curent colector de la 2 mA la 30mA)
1283BFR183WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curent colector de la 2 mA la 30mA)
1284BFR193NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz Pentru amplificatoare liniare în bandă largă)
1285BFR193WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu câștig ridicat de până la 2 GHz Pentru amplificatoare liniare în bandă largă)
1286BFR194PNP Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu distorsiune redusă în antenă și telecomunicații)
1287BFR280NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu putere redusă în sistemele de comunicații mobile)
1288BFR280WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare cu zgomot redus, cu putere redusă în sistemele de comunicații mobile
1289BFR34ANPN SILICON TRANSISTOR PENTRU AMPLIFICATOARE RF CU LARGĂ ZGOMOTĂ RF
1290BFR34RNPN SILICON TRANSISTOR PENTRU AMPLIFICATOARE RF CU LARGĂ ZGOMOTĂ RF
1291BFR35NPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare și oscilatoare cu bandă largă cu distorsiune redusă până la 2GHz la curenți de colector de la 0,5mA la 20mA)
1292BFR35ANPN SILICON TRANSISTOR PENTRU AMPLIFICATORI DE LARGĂ LARGĂ RF CU Zgomot redus și APLICAȚII DE COMUTARE DE VITEZĂ ÎNALTĂ
1293BFR35APNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare și oscilatoare cu bandă largă cu distorsiune redusă până la 2GHz la curenți de colector de la 0,5mA la 20mA)
1294BFR35ARNPN SILICON TRANSISTOR PENTRU AMPLIFICATORI DE LARGĂ LARGĂ RF CU Zgomot redus și APLICAȚII DE COMUTARE DE VITEZĂ ÎNALTĂ
1295BFR92PNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă de până la 2 GHz și comutatoare rapide nesaturate la curenți de colector de la 0,5 mA la 20 mA)
1296BFR92WNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă de până la 2 GHz și comutatoare rapide nesaturate la curenți de colector de la 0,5 mA la 20 mA)
1297BFR93ANPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu zgomot redus, cu câștig ridicat la curent colector de la 2mA la 30mA)
1298BFR93AWNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare și oscilatoare cu bandă largă cu distorsiune redusă până la 2GHz la curenți de colector de la 5 mA la 30 mA)
1299BFR93PNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă cu distorsiune redusă de până la 1 GHz la curenți de colector de la 2 mA la 30 mA.)
1300BFS17PNPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare de bandă largă de până la 1 GHz la curenți de colector de la 1mA la 20mA)
Pagina: | 1 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/siemens/1/