|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Siemens

Datasheet Catalog - Pagina 12

Datasheet-uri găsite :: 7901Pagina: | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |
Nr.NumeDescriere
1101BDX29-6PNP SILICON TRANSISTORII PLANARE
1102BDX30PNP SILICON TRANSISTORII PLANARE
1103BDX30-10PNP SILICON TRANSISTORII PLANARE
1104BDX30-6PNP SILICON TRANSISTORII PLANARE
1105BDY12NPN Silicon Planar Trnasistors
1106BDY12-10NPN Silicon Planar Trnasistors
1107BDY12-16NPN Silicon Planar Trnasistors
1108BDY12-6NPN Silicon Planar Trnasistors
1109BDY13NPN Silicon Planar Trnasistors
1110BDY13-10NPN Silicon Planar Trnasistors
1111BDY13-16NPN Silicon Planar Trnasistors
1112BDY13-6NPN Silicon Planar Trnasistors
1113BF1005Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V Rețea de polarizare stabilizată integrată)
1114BF1005SSilicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V Rețea de polarizare stabilizată integrată)
1115BF1009Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 9 V Rețea de polarizare stabilizată integrată
1116BF1009SSilicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 9V Rețea de polarizare integrată)
1117BF1012Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 12V Rețea de polarizare stabilizată integrată
1118BF1012SSilicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V Rețea de polarizare stabilizată integrată)
1119BF1012WSILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (Pentru trepte de intrare cu zgomot redus, controlate de câștig până la 1 GHz)
1120BF198NPN Silicon Transistor RF
1121BF2000Silicon N Channel MOSFET Tetrode
1122BF2000WSilicon N Channel MOSFET Tetrode (tranzistor cu canale scurte cu factor de calitate S / C ridicat Pentru trepte de intrare cu zgomot redus, controlate de câștig de până la 1 GHz)
1123BF2030Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V)
1124BF2030WSilicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V)
1125BF2040Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V)
1126BF2040WSilicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V)
1127BF245Tranzistoare cu efect de câmp de joncțiune N-Channel
1128BF245ATranzistoare cu efect de câmp de joncțiune N-Channel
1129BF245BTranzistoare cu efect de câmp de joncțiune N-Channel
1130BF245CTranzistoare cu efect de câmp de joncțiune N-Channel
1131BF246TRANSISTORI DE EFECT DE CÂMP JUNȚIUNE N-CANAL
1132BF246ATRANSISTORI DE EFECT DE CÂMP JUNȚIUNE N-CANAL
1133BF246BTRANSISTORI DE EFECT DE CÂMP JUNȚIUNE N-CANAL
1134BF246CTRANSISTORI DE EFECT DE CÂMP JUNȚIUNE N-CANAL
1135BF254Tranzistoare RF din siliciu NPN
1136BF324PNP SILICON RF TRANSISTOR
1137BF362TRANSISTORE RF SILICON NPN
1138BF363TRANSISTORE RF SILICON NPN
1139BF410TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP CU JUNȚIUNE N-CANAL CU Zgomot redus pentru aplicații RF
1140BF410ATRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP CU JUNȚIUNE N-CANAL CU Zgomot redus pentru aplicații RF
1141BF410BTRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP CU JUNȚIUNE N-CANAL CU Zgomot redus pentru aplicații RF
1142BF410CTRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP CU JUNȚIUNE N-CANAL CU Zgomot redus pentru aplicații RF
1143BF410DTRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP CU JUNȚIUNE N-CANAL CU Zgomot redus pentru aplicații RF
1144BF414NPN Silicon RF Tranzistor (Pentru stadii de zgomot redus, de bază comune VHF și FM)
1145BF420NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage (NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage)
1146BF421Tranzistoare de siliciu PNP (tensiune de rupere ridicată Tensiune de saturație scăzută a colector-emițător)
1147BF422NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage (NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage)
1148BF423Tranzistoare de siliciu PNP (tensiune de rupere ridicată Tensiune de saturație scăzută a colector-emițător)
1149BF457TRANSISTORE RF SILICON NPN
1150BF458TRANSISTORE RF SILICON NPN
1151BF459TRANSISTORE RF SILICON NPN
1152BF469NPN SILICON TRANSISTORII PLANARE
1153BF470PNP SILICON TRANSISTORII PLANARE
1154BF471NPN SILICON TRANSISTORII PLANARE
1155BF472PNP SILICON TRANSISTORII PLANARE
1156BF502NPN SILICON RF TRANSISTOR
1157BF503NPN SILICON RF TRANSISTOR
1158BF505NPN SILICON RF TRANSISTOR
1159BF506PNP Silicon RF Transistor (pentru mixer VHF și trepte de oscilator)
1160BF507NPN SILICON RF TRANSISTOR
1161BF517NPN Silicon RF Transistor (Pentru aplicații de amplificatoare și oscilatoare în tunere TV)
1162BF543Triod MOS FET Silicon N Channel (pentru trepte RF până la 300 MHz, de preferință în aplicații FM)
1163BF550PNP Silicon RF Transistor (Pentru trepte de amplificator de emițător obișnuit până la 300 MHz Pentru aplicații de mixer în radiouri AM / FM și tunere TV VHF)
1164BF554NPN Silicon RF Transistor (Pentru aplicații generale RF cu semnal mic de până la 300 MHz în amplificatoare, mixere și circuite oscilatoare)
1165BF562npn silicon rf tranzistor
1166BF568PNP SILICON TRANSISTOR PLANAR
1167BF569PNP Silicon RF Tranzistor (pentru OSCILATOARE, MIXERE ȘI ETAPE MIXER AUTO-OSCILATIVE ÎN ACORDURI TV UHF)
1168BF569WPNP Silicon RF Transistor (Pentru oscilatoare, mixer și trepte de mixare auto-oscilante în tuner TV UHF)
1169BF599NPN Silicon RF Transistor (Emițător comun IF / Amplificator RF Capacitate redusă de feedback datorită difuziei ecranului)
1170BF622NPN Silicon High Voltage Transistor (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare Tensiune de avarie ridicată Tensiune de saturație scăzută a colectorului-emițător)
1171BF623PNP Silicon High Voltage Transistor (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare Tensiune de avarie ridicată Tensiune de saturație scăzută a colectorului-emițător)
1172BF660PNP Silicon RF Transistor (Pentru aplicații cu oscilatoare VHF)
1173BF660WPNP Silicon RF Transistor (Pentru aplicații cu oscilatoare VHF)
1174BF720Tranzistoare de înaltă tensiune din silicon NPN (Potrivite pentru etapele de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de rupere ridicată)
1175BF721PNP Silicon High Voltage Tranzistors (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de defectare mare)
1176BF722Tranzistoare de înaltă tensiune din silicon NPN (Potrivite pentru etapele de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de rupere ridicată)
1177BF723PNP Silicon High Voltage Tranzistors (Potrivit pentru trepte de ieșire video în televizoare și surse de alimentare de comutare Tensiune de defectare mare)
1178BF767PNP SILICON TRANSISTOR PLANAR
1179BF770ANPN Silicon RF Transistor (Pentru amplificatoare IF în tunere TV-sat și pentru modulatoare VCR)
1180BF771NPN Silicon RF Transistor (Pentru modulatoare și amplificatoare în tunere TV și VCR)
1181BF771WNPN Silicon RF Transistor (Pentru modulatoare și amplificatoare în tunere TV și VCR)
1182BF772NPN Silicon RF Transistor (Pentru aplicarea în tunere TV-sat)
1183BF775NPN Silicon RF Tranzistor (potrivit în special pentru tunere TV-sat și UHF)
1184BF775ANPN Silicon RF Transistor (Adecvat în special pentru amplificatoare și tunere TV-sat)
1185BF775WNPN Silicon RF Tranzistor (potrivit în special pentru tunere TV-sat și UHF)
1186BF777TRANSISTOR NPN SILICON RF (PENTRU CONVERTITOARE DE FRECVENȚĂ UHF / VHF ȘI OSCILATORI LOCALI)
1187BF799NPN SILICON RF TRANSISTOR (Pentru aplicații de amplificare liniară în bandă largă până la 500 MHz driver de filtru SAW în tunere TV)
1188BF799WNPN Silicon RF Transistor (Pentru aplicații de amplificare liniară în bandă largă de până la 500MHz driver de filtru SAW în tunere TV)
1189BF840NPN Silicon RF Tranzistori (Potrivit pentru emițătoare comune RF, amplificatoare IF Capacitate scăzută a colectorului-bază datorită difuziei ecranului de contact)
1190BF841NPN Silicon RF Tranzistori (Potrivit pentru emițătoare comune RF, amplificatoare IF Capacitate scăzută a colectorului-bază datorită difuziei ecranului de contact)
1191BF847PNP SILICON TRANSISTORI RF
1192BF848PNP SILICON TRANSISTORI RF
1193BF849PNP SILICON TRANSISTORI RF
1194BF881Tranzistoare de siliciu NPN
1195BF926PNP SILICON TRANSISTOR PLANAR
1196BF939PNP SILICON TRANSISTOR PLANAR
1197BF959NPN Silicon RF Tranzistor (Pentru aplicații driver de filtru SAW în tunere TV Pentru trepte de amplificare liniară în bandă largă VHF)
1198BF967PNP SILICON TRANSISTOR PLANAR
1199BF968PNP SILICON TRANSISTOR PLANAR
1200BF979SPNP SILICON TRANSISTOR PLANAR
Pagina: | 1 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/siemens/1/