|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Samsung Electronic

Datasheet Catalog - Pagina 8
Datasheet-uri găsite :: 9560Pagina: | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 |
Nr.NumeDescriere
701K4F151612D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare.
702K4F16(7)0811(2)DRAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu foaie de date în modul pagină rapidă
703K4F160411C-B504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
704K4F160411C-B604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
705K4F160411C-F504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
706K4F160411C-F604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
707K4F160411DRAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu modul Pagină rapidă
708K4F160411D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.
709K4F160411D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.
710K4F160412C-B504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50ns
711K4F160412C-B604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60ns
712K4F160412C-F504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50ns
713K4F160412C-F604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60ns
714K4F160412DRAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu modul Pagină rapidă
715K4F160412D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.
716K4F160412D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.
717K4F160811DRAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu modul Pagină rapidă
718K4F160811D-B2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.
719K4F160811D-F2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.
720K4F160812DRAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu modul Pagină rapidă
721K4F160812D-B2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.
722K4F160812D-F2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.
723K4F170411C-B504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
724K4F170411C-B604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
725K4F170411C-F504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
726K4F170411C-F604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
727K4F170411DRAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu modul Pagină rapidă
728K4F170411D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
729K4F170411D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
730K4F170412C-B504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50ns
731K4F170412C-B604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60ns
732K4F170412C-F504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50ns
733K4F170412C-F604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60ns
734K4F170412DRAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu modul Pagină rapidă
735K4F170412D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
736K4F170412D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
737K4F170811DRAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu modul Pagină rapidă
738K4F170811D-B2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
739K4F170811D-F2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
740K4F170812DRAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu modul Pagină rapidă
741K4F170812D-B2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
742K4F170812D-F2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
743K4F171611DRAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă
744K4F171611D-J1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
745K4F171611D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
746K4F171612DRAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă
747K4F171612D-J1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
748K4F171612D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.
749K4F640412DRAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu modul Pagină rapidă
750K4F640412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 4K refresh ciclu.
751K4F640412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 4K refresh ciclu.
752K4F640811BRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu modul Pagină rapidă
753K4F640811B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 45ns
754K4F640811B-JC-508M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
755K4F640811B-JC-608M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
756K4F640811B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 45ns
757K4F640811B-TC-508M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
758K4F640811B-TC-608M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
759K4F640812DRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu modul Pagină rapidă
760K4F640812D-JC_L8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 4K refresh ciclu.
761K4F640812D-TC_L8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 4K refresh ciclu.
762K4F641612BRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
763K4F641612B-LRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
764K4F641612B-TCRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
765K4F641612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns
766K4F641612B-TC50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
767K4F641612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns
768K4F641612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns, de putere mică
769K4F641612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns, de putere mică
770K4F641612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns, de putere mică
771K4F641612CRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
772K4F641612C-LRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
773K4F641612C-TCRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
774K4F641612C-TC454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns
775K4F641612C-TC504M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns
776K4F641612C-TC604M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns
777K4F641612C-TL454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns, de putere mică
778K4F641612C-TL50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
779K4F641612C-TL604M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns, de putere mică
780K4F660411D, K4F640411DRAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă
781K4F660412DRAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu modul Pagină rapidă
782K4F660412D, K4F640412DRAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă
783K4F660412D, K4F640412DRAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă
784K4F660412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 8K refresh ciclu.
785K4F660412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 8K refresh ciclu.
786K4F660412E, K4F640412ERAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă
787K4F660412E, K4F640412ERAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă
788K4F660811BRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu modul Pagină rapidă
789K4F660811B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 45ns
790K4F660811B-JC-508M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
791K4F660811B-JC-608M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
792K4F660811B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 45ns
793K4F660811B-TC-508M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
794K4F660811B-TC-608M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
795K4F660811D, K4F640811DRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă
796K4F660812DRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu modul Pagină rapidă
797K4F660812D, K4F640812DRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă
798K4F660812D, K4F640812DRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă
799K4F660812D-JC_L8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 8K refresh ciclu.
800K4F660812D-TC_L8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 8K refresh ciclu.
Pagina: | 1 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/samsungelectronic/1/