|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Samsung Electronic

Datasheet Catalog - Pagina 7
Datasheet-uri găsite :: 9560Pagina: | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
Nr.NumeDescriere
601K4E641612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns, consum redus de energie
602K4E641612CRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
603K4E641612C-45RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
604K4E641612C-50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
605K4E641612C-60RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
606K4E641612C-LRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
607K4E641612C-TRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
608K4E641612C-T45RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
609K4E641612C-T50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
610K4E641612C-T60RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
611K4E641612C-TCRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
612K4E641612C-TC45RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
613K4E641612C-TC50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
614K4E641612C-TC60RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
615K4E641612C-TL45RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
616K4E641612C-TL50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
617K4E641612C-TL60RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
618K4E641612DCMOS DRAM
619K4E660411D, K4E640411DMemorie RAM dinamică CMOS de 16 MB x 4 biți cu fișă tehnică extinsă de ieșire de date
620K4E660412DRAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu ieșire extinsă de date
621K4E660412D, K4E640412DMemorie RAM dinamică CMOS de 16 MB x 4 biți cu fișă tehnică extinsă de ieșire de date
622K4E660412D, K4E640412DMemorie RAM dinamică CMOS de 16 MB x 4 biți cu fișă tehnică extinsă de ieșire de date
623K4E660412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. 3.3V, 8K refresh ciclu.
624K4E660412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. 3.3V, 8K refresh ciclu.
625K4E660412E, K4E640412ERAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
626K4E660412E, K4E640412ERAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
627K4E660811D, K4E640811DRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
628K4E660812BRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date
629K4E660812B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns
630K4E660812B-JC-58M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns
631K4E660812B-JC-68M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns
632K4E660812B-JCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns
633K4E660812B-JCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns
634K4E660812B-JCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns
635K4E660812B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns
636K4E660812B-TC-58M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns
637K4E660812B-TC-68M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns
638K4E660812B-TCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns
639K4E660812B-TCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns
640K4E660812B-TCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns
641K4E660812CRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date
642K4E660812C-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns
643K4E660812C-JC-58M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns
644K4E660812C-JC-68M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns
645K4E660812C-JCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns
646K4E660812C-JCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns
647K4E660812C-JCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns
648K4E660812C-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns
649K4E660812C-TC-58M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns
650K4E660812C-TC-68M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns
651K4E660812C-TCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns
652K4E660812C-TCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns
653K4E660812C-TCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns
654K4E660812D, K4E640812DRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
655K4E660812D, K4E640812DRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
656K4E660812ERAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date
657K4E660812E, K4E640812ERAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
658K4E660812E, K4E640812ERAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
659K4E660812E-JC/LRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date
660K4E660812E-TC/LRAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date
661K4E661611D, K4E641611DRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
662K4E661612BRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
663K4E661612B-LRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
664K4E661612B-TCRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
665K4E661612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns
666K4E661612B-TC504M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns
667K4E661612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns
668K4E661612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns, consum redus de energie
669K4E661612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns, consum redus de energie
670K4E661612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns, consum redus de energie
671K4E661612CRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
672K4E661612C-45RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
673K4E661612C-50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
674K4E661612C-60RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
675K4E661612C-LRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
676K4E661612C-L45RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
677K4E661612C-L50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
678K4E661612C-L60RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
679K4E661612C-TRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
680K4E661612C-T45RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
681K4E661612C-T50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
682K4E661612C-T60RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
683K4E661612C-TCRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
684K4E661612C-TC45RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
685K4E661612C-TC50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
686K4E661612C-TC60RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
687K4E661612C-TL45RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
688K4E661612C-TL50RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
689K4E661612C-TL60RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
690K4E661612DCMOS DRAM
691K4E661612D, K4E641612DRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
692K4E661612D, K4E641612DRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
693K4E661612E, K4E641612ERAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
694K4E661612E, K4E641612ERAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date
695K4F151611RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă
696K4F151611DRAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă
697K4F151611D-J1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare.
698K4F151611D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare.
699K4F151612DRAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă
700K4F151612D-J1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare.
Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/samsungelectronic/1/