| Nr. | Nume | Descriere |
|---|
| 30101 | MTD9N10E-D | MOSFET de putere 9 amperi, 100 volți canal N DPAK |
| 30102 | MTDF1C02HD | MOSFET de putere 1 Amp, 20 Volts |
| 30103 | MTDF1C02HD-D | MOSFET de putere 1 amp, 20 volți complementar Micro8 |
| 30104 | MTDF1N02HD | MOSFET de putere 1 Amp, 20 Volts |
| 30105 | MTDF1N02HD-D | MOSFET de putere 1 amp, 20 volți canal N Micro8, dual |
| 30106 | MTDF1N03HD | MOSFET de putere 1 Amp, 30 Volts |
| 30107 | MTDF1N03HD-D | MOSFET de putere 1 amp, 30 volți canal N Micro8 dual |
| 30108 | MTDF1P02HD | MOSFET de putere 1 Amp, 20 Volts |
| 30109 | MTDF1P02HD-D | MOSFET de putere 1 Amp, 20 volți P-Channel Micro8 Dual |
| 30110 | MTDF2N06HD | MOSFET de putere 2 Amperi, 60 de volti |
| 30111 | MTDF2N06HD-D | MOSFET de putere 2 Amperi, 60 volți N-Channel Micro8 Dual |
| 30112 | MTP10N10E | MOSFET de putere 10 amperi, 100 de volti |
| 30113 | MTP10N10E-D | MOSFET de putere 2 amperi, 60 volți canal N Micro8, dual |
| 30114 | MTP10N10EL | MOSFET de putere 10 Amperi, 100 Volți, Nivel Logic |
| 30115 | MTP10N10EL-D | MOSFET de putere 10 Amperi, 100 Volți, Nivel Logic Canal N TO-220 |
| 30116 | MTP10N10ELG | MOSFET de putere 10 Amperi, 100 Volți, Nivel Logic |
| 30117 | MTP10N40E | 10 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 400 |
| 30118 | MTP10N40E-D | TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30119 | MTP10N60E7 | TMOS 7 E-FET ™ FET de mare energie |
| 30120 | MTP10N60E7-D | TMOS 7 E-FET Putere înaltă energie FET Poarta din silicon în modul îmbunătățire a canalului N |
| 30121 | MTP12N06EZL | OBSOLETE - N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30122 | MTP12N06EZL-D | TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30123 | MTP12N10E | OBSOLETE - 12 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 100 |
| 30124 | MTP12N10E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N |
| 30125 | MTP12P10 | MOSFET de putere 12 Amperi, 100 Volți |
| 30126 | MTP12P10-D | MOSFET de putere 12 Amperi, 100 volți P-Channel TO-220 |
| 30127 | MTP1302 | INVECHITE - MOSFET de putere 42 Amperi, 30 de volti |
| 30128 | MTP1302-D | MOSFET de putere 42 Amperi, 30 Volți N-Channel TO-220 |
| 30129 | MTP1306 | MOSFET de putere 75 Amperi, 30 Volți |
| 30130 | MTP1306-D | MOSFET de putere 75 amperi, 30 volți canal N TO-220 |
| 30131 | MTP15N06V | MOSFET de putere 15 Amperi, 60 de volti |
| 30132 | MTP15N06V-D | MOSFET de putere 15 amperi, 60 volți canal N TO-220 |
| 30133 | MTP15N06VL | MOSFET de putere 15 Amperi, 60 de volti, Logic Level |
| 30134 | MTP15N06VL-D | MOSFET de putere 15 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic N-Canal TO-220 |
| 30135 | MTP16N25E | OBSOLETE - 16 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 250 |
| 30136 | MTP16N25E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N |
| 30137 | MTP1N100E | 1 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 1000 |
| 30138 | MTP1N100E-D | TMOS E-FET Tranzistor cu efect de câmp de putere Îmbunătățirea canalului N - Poartă din silicon în mod |
| 30139 | MTP1N50E | OBSOLETE - MOSFET de putere 1 A, 500 V N-canal pentru a-220 |
| 30140 | MTP1N50E-D | MOSFET de putere 1 Amp, 500 volți canal N TO-220 |
| 30141 | MTP1N60E | OBSOLETE - 1 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 600 |
| 30142 | MTP1N60E-D | Putere MOSFET 1 Amp, 600 volți N-Channel TO-220 |
| 30143 | MTP20N06V | MOSFET de putere 20 Amperi, 60 de volti |
| 30144 | MTP20N06V-D | Putere MOSFET 20 Amperi, 60 Volți N-Canal TO-220 |
| 30145 | MTP20N15E | MOSFET de putere 20 amperi, 150 de volti |
| 30146 | MTP20N15E-D | Putere MOSFET 20 Amperi, 150 Volți N-Canal TO-220 |
| 30147 | MTP20N20E | INVECHITE - MOSFET de putere 20 amperi, 200 de volti |
| 30148 | MTP20N20E-D | Putere MOSFET 20 Amperi, 200 Volți N-Canal TO-220 |
| 30149 | MTP23P06V | Putere MOSFET 23 Amperi, 60 Volți |
| 30150 | MTP23P06V-D | Putere MOSFET 23 Amperi, 60 volți P-Channel TO-220 |
| 30151 | MTP27N10E | MOSFET de putere 27 amperi, 100 de volti |
| 30152 | MTP27N10E-D | MOSFET de putere 27 Amperi, 100 volți canal N TO-220 |
| 30153 | MTP2955V | MOSFET de putere 12 Amperi, 60 de volti |
| 30154 | MTP2955V-D | Putere MOSFET 12 Amperi, 60 volți P-Channel TO-220 |
| 30155 | MTP2955VG | MOSFET de putere 12 Amperi, 60 de volti |
| 30156 | MTP29N15E | MOSFET de putere 29 Amperi, 150 Volți |
| 30157 | MTP29N15E-D | MOSFET de putere 29 amperi, 150 volți canal N TO-220 |
| 30158 | MTP2N40E | 2 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 400 |
| 30159 | MTP2N40E-D | TMOS E-FET Tranzistor cu efect de câmp de putere Îmbunătățirea canalului N - Poartă din silicon în mod |
| 30160 | MTP2N60E | N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30161 | MTP2N60E-D | TMOS E-FET Tranzistor cu efect de câmp de putere Îmbunătățirea canalului N - Poartă din silicon în mod |
| 30162 | MTP2P50E | MOSFET de putere 2 Amperi, 500 Volți |
| 30163 | MTP2P50E-D | MOSFET de putere 2 Amperi, 500 volți P-Channel TO-220 |
| 30164 | MTP2P50EG | MOSFET de putere 2 Amperi, 500 Volți |
| 30165 | MTP3055V | TMOS Power FET 60V, 0,15 Ohm |
| 30166 | MTP3055V-D | MOSFET de putere 12 Amperi, N-canal 60-Volți TO-220 |
| 30167 | MTP3055VL | MOSFET de putere 12 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic |
| 30168 | MTP3055VL | MOSFET de putere 12 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic |
| 30169 | MTP3055VL-D | MOSFET de putere 12 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic N-Canal TO-220 |
| 30170 | MTP30N06VL | MOSFET de putere 30 Amperi, 60 de volti, Logic Level |
| 30171 | MTP30N06VL-D | MOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic N-Canal TO-220 |
| 30172 | MTP30P06V | MOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți |
| 30173 | MTP30P06V-D | MOSFET de putere 30 Amperi, P-Canal 60 Volți TO-220 |
| 30174 | MTP30P06VG | MOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți |
| 30175 | MTP33N10E | SPP Power NChannel |
| 30176 | MTP33N10E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N |
| 30177 | MTP36N06V | MOSFET de putere 32 Amperi, 60 Volți |
| 30178 | MTP36N06V-D | Putere MOSFET 32 Amperi, 60 volți N-Channel TO-220 |
| 30179 | MTP3N100E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N |
| 30180 | MTP3N120E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N |
| 30181 | MTP3N50E | 3 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 500 |
| 30182 | MTP3N50E-D | TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30183 | MTP3N60E | 3 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 600 |
| 30184 | MTP3N60E-D | TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30185 | MTP40N10E | MOSFET de putere 40 amperi, 100 de volti |
| 30186 | MTP40N10E-D | MOSFET de putere 40 Amperi, 100 volți N-Channel TO-220 |
| 30187 | MTP4N40E | OBSOLETE - 4 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 400 |
| 30188 | MTP4N40E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N |
| 30189 | MTP4N50E | 4 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 500 |
| 30190 | MTP4N50E-D | TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30191 | MTP4N80E | OBSOLETE - 4 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 800 |
| 30192 | MTP4N80E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N |
| 30193 | MTP50N06V | MOSFET de putere 60 V, 42 A, N-Channel, TO-220 |
| 30194 | MTP50N06V-D | MOSFET de putere 42 Amperi, N-canal 60-volți TO-220 |
| 30195 | MTP50N06VL | MOSFET de putere 42 Amperi, 60 de volti, Logic Level |
| 30196 | MTP50N06VL-D | MOSFET de putere 42 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic N-Canal TO-220 |
| 30197 | MTP50P03HDL | MOSFET de putere 50 Amperi, 30 Volți, Nivel logic |
| 30198 | MTP50P03HDL-D | MOSFET de putere 50 Amperi, 30 Volți, Nivel logic P-Channel TO-220 |
| 30199 | MTP50P03HDLG | MOSFET de putere 50 Amperi, 30 Volți, Nivel logic |
| 30200 | MTP52N06V | MOSFET de putere 52 Amperi, 60 Volți |
| | |
