|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


ON Semiconductor

Datasheet Catalog - Pagina 287

Datasheet-uri găsite :: 37956Pagina: | 282 | 283 | 284 | 285 | 286 | 287 | 288 | 289 | 290 | 291 | 292 |
Nr.NumeDescriere
28601MMDF3N02HDR2MOSFET de putere 3 amperi, 20 de volti
28602MMDF3N03HDMOSFET de putere 3 amperi, 30 de volti
28603MMDF3N03HDMOSFET de putere 3 amperi, 30 de volti
28604MMDF3N03HDMOSFET de putere 3 amperi, 30 de volti
28605MMDF3N03HD-DMOSFET de putere 3 Amperi, 30 Volți N-Channel SO-8, Dual
28606MMDF3N03HDR2MOSFET de putere 3 amperi, 30 de volti
28607MMDF3N03HDR2MOSFET de putere 3 amperi, 30 de volti
28608MMDF3N03HDR2MOSFET de putere 3 amperi, 30 de volti
28609MMDF3N04HDMOSFET de putere 3 Amperi, 40 Volți N-Channel SO-8 Dual
28610MMDF3N04HD-DMOSFET de putere 3 amperi, canal N de 40 volți SO-8, dual
28611MMDF3N04HDR2MOSFET de putere 3 Amperi, 40 Volți N-Channel SO-8 Dual
28612MMDF3N06HDINVECHITE - MOSFET de putere 3 amperi, 60 de volti
28613MMDF3N06HD-DMOSFET de putere 3 amperi, canal N de 60 volți SO-8, dual
28614MMDF3N06VLMOSFET de putere 3 amperi, 60 volți
28615MMDF3N06VL-DMOSFET de putere 3 amperi, canal N de 60 volți SO-8, dual
28616MMDF3N06VLR2MOSFET de putere 3 amperi, 60 volți
28617MMDF4207Duale P-canal efect de câmp Tranzistori
28618MMDF4207-DTranzistoare cu efect de câmp dual P-Channel TMOS
28619MMDF4C03HDINVECHITE - MOSFET de putere 4 Amperi, 30 de volti
28620MMDF4C03HD-DMOSFET de putere 4 amperi, 30 volți complementar SO-8, dual
28621MMDF4N01HDINVECHITE - MOSFET de putere 4 Amperi, 20 de volti
28622MMDF4N01HD-DMOSFET de putere 4 amperi, canal N de 20 volți SO-8, dual
28623MMDF4P03HDMOSFET de putere 4 A, 30 V, Dual, P-Channel, SO-8
28624MMDF4P03HD-DMOSFET de putere 4 Amperi, canal de P de 30 volți SO-8, dual
28625MMDF5N02ZINVECHITE - MOSFET de putere 5 amperi, 20 de volti
28626MMDF5N02Z-DMOSFET de putere 5 amperi, canal N de 20 volți SO-8, dual
28627MMDF6N02HDMOSFET de putere 2 Amperi, 20 de volti
28628MMDF6N02HD-DMOSFET de putere 6 amperi, canal N de 20 volți SO-8, dual
28629MMDF6N03HDMOSFET de putere 6 Amperi, 30 Volți
28630MMDF6N03HD-DMOSFET de putere 6 Amperi, 30 Volți N-Channel SO-8, Dual
28631MMDF6N03HDR2MOSFET de putere 6 Amperi, 30 Volți
28632MMDF7N02ZINVECHITE - MOSFET de putere 7 amperi, 20 de volti
28633MMDF7N02Z-DMOSFET de putere 7 amperi, canal N de 20 volți SO-8, dual
28634MMDFS2P102MOSFET de putere 2 Amperi, 20 de volti
28635MMDFS2P102-DPutere MOSFET 2 Amperi, 20 volți P-Channel SO-8, FETKY
28636MMDFS3P303MOSFET de putere 3 Amperi / 30 Volți
28637MMDFS3P303-DPutere MOSFET 3 Amperi, 30 Volți P-Channel SO-8, FETKY
28638MMDFS3P303R2MOSFET de putere 3 Amperi / 30 Volți
28639MMDFS6N303MOSFET de putere 6 amperi, 30 Volți N-Channel SO-8 FETKY
28640MMDFS6N303-DPutere MOSFET 6 Amperi, 30 Volți N-Channel SO-8, FETKY
28641MMDJ3N03BJTTranzistoare de putere din plastic
28642MMDJ3N03BJT-DTranzistori de putere din plastic SO-8 pentru aplicații de montare pe suprafață
28643MMDJ3N03BJTR2Tranzistoare de putere din plastic
28644MMDJ3P03BJTTranzistor de putere bipolar PNP dual, SO-8
28645MMDJ3P03BJT-DTranzistori de putere din plastic SO-8 pentru aplicații de montare pe suprafață
28646MMDJ3P03BJTR2Tranzistor de putere bipolar PNP dual, SO-8
28647MMDL101Schottky Barrier Diode
28648MMDL101T1Schottky Barrier Diode
28649MMDL101T1-DSchottky Barrier Diode
28650MMDL301Diodele purtătoare de siliciu la cald
28651MMDL301T1Diodele purtătoare de siliciu la cald
28652MMDL301T1-DDiodele purtătoare la cald din siliciu Schottky Barrier Diode
28653MMDL6050Comutarea Diode
28654MMDL6050T1Comutarea Diode
28655MMDL6050T1-DComutarea Diode
28656MMDL770Schottky Barrier Diode
28657MMDL770T1Schottky Barrier Diode
28658MMDL770T1-DSchottky Barrier Diode
28659MMDL914High-Speed ​​Switching Diode
28660MMDL914T1High-Speed ​​Switching Diode
28661MMDL914T1-DHigh-Speed ​​Switching Diode
28662MMFT107Putere MOSFET 250 mA, 200 volți
28663MMFT107T1Putere MOSFET 250 mA, 200 volți
28664MMFT107T1-DPutere MOSFET 250 mA, 200 volți canal N SOT-223
28665MMFT107T1DPutere MOSFET 250 mA / 200 volți
28666MMFT107T3Putere MOSFET 250 mA / 200 volți
28667MMFT2406Putere MOSFET 700 mA, 240 volți
28668MMFT2406T1Putere MOSFET 700 mA, 240 volți
28669MMFT2406T1-DPutere MOSFET 700 mA, 240 volți canal N SOT-223
28670MMFT2406T1GPutere MOSFET 700 mA, 240 volți
28671MMFT2406T3MOSFET de putere
28672MMFT2406T3GPutere MOSFET 700 mA, 240 volți
28673MMFT2955EMOSFET de putere 1 Amp, 60 de volti
28674MMFT2955E-DMOSFET de putere 1 Amp, 60 volți canal P SOT-223
28675MMFT2955ET1MOSFET de putere 1 Amp, 60 de volti
28676MMFT2955ET1GMOSFET de putere 1 Amp, 60 de volti
28677MMFT2955ET3MOSFET de putere 1 Amp, 60 de volti
28678MMFT2N02ELMOSFET de putere 2 Amperi, 20 de volti
28679MMFT2N02EL-DMOSFET de putere 2 amperi, 20 volți canal N SOT-223
28680MMFT2N25EHigh Energy FET de putere
28681MMFT2N25E-DTMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
28682MMFT3055EMOSFET de putere 60 V, 1,7 A N-Channel SOT-223
28683MMFT3055E-DTranzistor cu efect de câmp de putere medie Mod de îmbunătățire a canalului N Silicon Gate TMOS E-FET SOT-223 pentru montare pe suprafață
28684MMFT3055VMOSFET de putere 1 Amp, 60 de volti
28685MMFT3055V-DMOSFET de putere 1 Amp, 60 volți canal N SOT-223
28686MMFT3055VLMOSFET de putere 1 Amp, 60 de volti
28687MMFT3055VL-DMOSFET de putere 1 Amp, 60 volți canal N SOT-223
28688MMFT5P03HDMOSFET de putere 5 amperi, 30 de volti
28689MMFT5P03HD-DMOSFET de putere 5 amperi, 30 volți canal P SOT-223
28690MMFT5P03HDT1MOSFET de putere 5 amperi, 30 de volti
28691MMFT5P03HDT3MOSFET de putere 5 amperi, 30 de volti
28692MMFT960Putere MOSFET 300 mA, 60 volți
28693MMFT960T1Putere MOSFET 300 mA, 60 volți
28694MMFT960T1-DPutere MOSFET 300 mA, 60 volți canal N SOT-223
28695MMFT960T1GPutere MOSFET 300 mA, 60 volți
28696MMG05N60DOBSOLETE - IGBT N-Channel (0.5A, 600V)
28697MMG05N60D-DPoartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode
28698MMJT350T1Tranzistoare de putere bipolare
28699MMJT350T1-DTranzistori de putere bipolari PNP Silicon
28700MMJT9410Tranzistor de putere bipolar NPN
Pagina: | 1 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 | 110 | 120 | 130 | 140 | 150 | 160 | 170 | 180 | 190 | 200 | 210 | 220 | 230 | 240 | 250 | 260 | 270 | 280 | 282 | 283 | 284 | 285 | 286 | 287 | 288 | 289 | 290 | 291 | 292 | 300 | 310 | 320 | 330 | 340 | 350 | 360 | 370 | 380 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/onsemiconductor/1/