| Nr. | Nume | Descriere |
|---|
| 27201 | MGP14N60E-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27202 | MGP15N35CL | Aprindere IGBT 15 Amperi, 350 Volți |
| 27203 | MGP15N35CL-D | Aprindere IGBT 15 Amperi, 350 Volți N-Channel TO-220 și D2PAK |
| 27204 | MGP15N38CL | IGBT N-Channel prins intern |
| 27205 | MGP15N38CL-D | Aprindere IGBT 15 Amperi, 380 Volți N-Channel TO-220 și D2PAK |
| 27206 | MGP15N40CL | Aprindere IGBT 15 Amperi, 410 Volți |
| 27207 | MGP15N40CL-D | Aprindere IGBT 15 Amperi, 410 Volți N-Channel TO-220 și D2PAK |
| 27208 | MGP15N43CL | IGBT N-Channel prins intern |
| 27209 | MGP15N43CL-D | Aprindere IGBT 15 Amperi, 430 Volți N-Canal TO-220 și D2PAK |
| 27210 | MGP15N60U-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27211 | MGP19N35CL | Aprindere IGBT 19 Amperi, 350 Volți |
| 27212 | MGP19N35CL-D | Aprindere IGBT 19 Amperi, 350 volți N-Channel TO-220 și D2PAK |
| 27213 | MGP20N14CL-D | SMARTDISCRETES IGBT N-Channel prins intern |
| 27214 | MGP20N35CL-D | SMARTDISCRETES IGBT N-Channel prins intern |
| 27215 | MGP20N40CL-D | SMARTDISCRETES IGBT N-Channel prins intern |
| 27216 | MGP20N60U-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27217 | MGP21N60E-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27218 | MGP4N60E-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27219 | MGP4N60ED | Tranzistor bipolar cu poartă izolată cu diodă anti-paralelă |
| 27220 | MGP4N60ED-D | Tranzistor bipolar cu poartă izolată cu diodă anti-paralelă Poartă din silicon în modul de îmbunătățire a canalului N |
| 27221 | MGP7N60E-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27222 | MGP7N60ED | Tranzistor bipolar cu poartă izolată cu diodă anti-paralelă |
| 27223 | MGP7N60ED-D | Tranzistor bipolar cu poartă izolată cu diodă anti-paralelă Poartă din silicon în modul de îmbunătățire a canalului N |
| 27224 | MGS05N60D-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27225 | MGS13002D | Insulated Gate Bipolar Transistor N-canal |
| 27226 | MGS13002D-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27227 | MGSF1N02EL | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27228 | MGSF1N02ELT1 | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27229 | MGSF1N02ELT1-D | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți canal N SOT-23 |
| 27230 | MGSF1N02ELT1G | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27231 | MGSF1N02ELT3 | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27232 | MGSF1N02L | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27233 | MGSF1N02LT1 | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27234 | MGSF1N02LT1-D | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți canal N SOT-23 |
| 27235 | MGSF1N02LT1G | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27236 | MGSF1N02LT3 | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27237 | MGSF1N03L | Putere MOSFET 750 mAmps, 30 volți |
| 27238 | MGSF1N03LT1 | Putere MOSFET 750 mAmps, 30 volți |
| 27239 | MGSF1N03LT1G | Putere MOSFET 750 mAmps, 30 volți |
| 27240 | MGSF1N03LT3 | Putere MOSFET 750 mAmps, 30 volți |
| 27241 | MGSF1N03LT3G | Putere MOSFET 750 mAmps, 30 volți |
| 27242 | MGSF1P02EL | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27243 | MGSF1P02EL | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27244 | MGSF1P02ELT1 | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27245 | MGSF1P02ELT1 | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27246 | MGSF1P02ELT1-D | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți canal P SOT-23 |
| 27247 | MGSF1P02ELT3 | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27248 | MGSF1P02ELT3 | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27249 | MGSF1P02L | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27250 | MGSF1P02LT1 | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27251 | MGSF1P02LT1-D | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți canal P SOT-23 |
| 27252 | MGSF1P02LT1G | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27253 | MGSF1P02LT3 | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27254 | MGSF1P02LT3G | Putere MOSFET 750 mAmps, 20 volți |
| 27255 | MGSF2N02E | 2,8 Amperi, 20 Volți, N − Channel SOT − 23 |
| 27256 | MGSF2N02EL | MOSFET de putere 2,8 Amperi, 20 Volți |
| 27257 | MGSF2N02EL-D | MOSFET de putere 2,8 Amperi, canal N de 20 volți SOT-23 |
| 27258 | MGSF2N02ELT1 | MOSFET de putere 2,8 Amperi, 20 Volți |
| 27259 | MGSF2N02ELT1G | MOSFET de putere 2,8 Amperi, 20 Volți |
| 27260 | MGSF2N02ELT3 | MOSFET de putere 2,8 Amperi, 20 Volți |
| 27261 | MGSF2N02ELT3G | MOSFET de putere 2,8 Amperi, 20 Volți |
| 27262 | MGSF2P02HD | MOSFET de putere 2 Amperi, 20 de volti |
| 27263 | MGSF2P02HD-D | MOSFET de putere 2 amperi, 20 volți canal P TSOP-6 |
| 27264 | MGSF2P02HDT1 | MOSFET de putere 2 Amperi, 20 de volti |
| 27265 | MGSF2P02HDT3 | MOSFET de putere 2 Amperi, 20 de volti |
| 27266 | MGSF3441VT1 | OBSOLETE - REPLACEMENT P / N # - NTGS3441T1 |
| 27267 | MGSF3441VT1-D | Mdsfete cu semnal mic (activat) MOSFET-uri cu semnal mic tranzistoare cu efect de câmp single-canal TMOS TMOS |
| 27268 | MGSF3441XT1 | OBSOLETE - REPLACEMENT P / N # - NTGS3441T1 |
| 27269 | MGSF3441XT1-D | Mdsfete cu semnal mic (activat) MOSFET-uri cu semnal mic tranzistoare cu efect de câmp single-canal TMOS TMOS |
| 27270 | MGSF3442VT1 | INVECHITE - MOSFET de putere 4 Amperi, 20 de volti |
| 27271 | MGSF3442VT1-D | MOSFET de putere 4 amperi, 20 volți canal N TSOP-6 |
| 27272 | MGSF3442XT1 | Un singur MOSFET N-Channel |
| 27273 | MGSF3442XT1-D | Mdsfet-uri cu semnal mic (activat) MOSFET-uri cu semnal mic TMOS tranzistoare cu efect de câmp cu un singur canal N |
| 27274 | MGSF3454VT1-D | Mdsfet-uri cu semnal mic (activat) MOSFET-uri cu semnal mic TMOS tranzistoare cu efect de câmp cu un singur canal N |
| 27275 | MGSF3454XT1 | Un singur MOSFET N-Channel |
| 27276 | MGSF3454XT1-D | Mdsfet-uri cu semnal mic (activat) MOSFET-uri cu semnal mic TMOS tranzistoare cu efect de câmp cu un singur canal N |
| 27277 | MGSF3455VT1-D | Mdsfete cu semnal mic (activat) MOSFET-uri cu semnal mic tranzistoare cu efect de câmp single-canal TMOS TMOS |
| 27278 | MGSF3455XT1 | Un singur MOSFET P-Channel |
| 27279 | MGSF3455XT1-D | Mdsfete cu semnal mic (activat) MOSFET-uri cu semnal mic tranzistoare cu efect de câmp single-canal TMOS TMOS |
| 27280 | MGW12N120 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-canal |
| 27281 | MGW12N120-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27282 | MGW12N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor cu Anti-paralel diode N-canal |
| 27283 | MGW12N120D-D | Tranzistor bipolar cu poartă izolată cu diodă anti-paralelă Poartă din silicon în modul de îmbunătățire a canalului N |
| 27284 | MGW14N60ED | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| 27285 | MGW14N60ED-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27286 | MGW20N120 | OBSOLETE - Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel |
| 27287 | MGW20N120-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27288 | MGW21N60ED-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27289 | MGY20N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor cu Anti-paralel diode N-canal |
| 27290 | MGY20N120D-D | Tranzistor bipolar cu poartă izolată cu diodă anti-paralelă Poartă din silicon în modul de îmbunătățire a canalului N |
| 27291 | MGY25N120 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-canal |
| 27292 | MGY25N120-D | Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode |
| 27293 | MGY25N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor cu Anti-paralel diode N-canal |
| 27294 | MGY25N120D-D | Tranzistor bipolar cu poartă izolată cu diodă anti-paralelă Poartă din silicon în modul de îmbunătățire a canalului N |
| 27295 | MJ10005 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON |
| 27296 | MJ10005-D | SWITCHMODE NPN Silicon Power Darlington tranzistor cu dioda de accelerare a emițătorului de bază |
| 27297 | MJ10007 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON |
| 27298 | MJ10007-D | Tranzistoarele Darlington de putere NPN din siliciu seria SWITCHMODE cu diodă de accelerare a emițătorului de bază |
| 27299 | MJ10009 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON |
| 27300 | MJ10009-D | SWITCHMODE NPN Silicon Power Darlington tranzistor cu dioda de accelerare a emițătorului de bază |
| | |
