|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


NEC

Datasheet Catalog - Pagina 65
Datasheet-uri găsite :: 22282Pagina: | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 |
Nr.NumeDescriere
6401NE32400NUltra pseudomorphic zgomot redus HJ FET.
6402NE32484AC la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6403NE32484A-SLC la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6404NE32484A-T1C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6405NE32484A-T1AC la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6406NE32484ASUltra pseudomorphic zgomot redus HJ FET.
6407NE32500C la Ka BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET CHIP
6408NE32500MC la KA bandă amplificator de zgomot foarte redus. N-canal HJ FET cip. IDSS selecție 50 la 90 mA.
6409NE32500NC la KA bandă amplificator de zgomot foarte redus. N-canal HJ FET cip. IDSS selecție 20 la 60 mA.
6410NE32584C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6411NE32584CC la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6412NE32584C-SUltra pseudomorphic zgomot redus HJ FET.
6413NE32584C-SLC la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6414NE32584C-T1C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6415NE32584C-T1AC la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6416NE325S01C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6417NE325S01-T1C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6418NE325S01-T1BC la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6419NE32900SCHEMATIC
6420NE33200SUPER LOW NOISE HJ FET
6421NE33200MSUPER LOW NOISE HJ FET
6422NE33200NSUPER LOW NOISE HJ FET
6423NE33284AMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET LAND X BAND SUPER LOW NOISE
6424NE33284AAMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET LAND X BAND SUPER LOW NOISE
6425NE33284A-SLAMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET LAND X BAND SUPER LOW NOISE
6426NE33284A-T1AMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET LAND X BAND SUPER LOW NOISE
6427NE33284A-T1AAMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET LAND X BAND SUPER LOW NOISE
6428NE33284A-T1BN-canal heterojunction cu efect de câmp tranzistor
6429NE33284ASSuper zgomot redus HJ FET.
6430NE334S01C BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANEL HJ-FET
6431NE334S01-T1C BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANEL HJ-FET
6432NE334S01-T1BC BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANEL HJ-FET
6433NE34018AMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET BANDĂ L-S
6434NE34018-T1AMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET BANDĂ L-S
6435NE34018-T1-63GaAs HJ-FET L a S banda de zgomot redus amplificator. Gama de IDS 30-65 mA.
6436NE34018-T1-64GaAs HJ-FET L a S banda de zgomot redus amplificator. Gama de IDS 60-120 mA.
6437NE34018-T2AMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET BANDĂ L-S
6438NE34516000.1-4.0 GHz, 10 W, L, S-band GaAs putere MESFET
6439NE345L-10B0.1-4.0 GHz, 10 W, L, S-band GaAs putere MESFET
6440NE345L-20B0.1-4.0 GHz, 20 W, L, S-band GaAs putere MESFET
6441NE38018AMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET BANDĂ L-S
6442NE38018-T1AMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET BANDĂ L-S
6443NE38018-T1-67GaAs HJ-FET L a S banda de zgomot redus amplificator. Gama de IDS 40-90 mA.
6444NE38018-T1-68GaAs HJ-FET L a S banda de zgomot redus amplificator. Gama de IDS 70-170 mA.
6445NE38018-T2AMPLIFICATOR N-CHANNEL HJ-FET BANDĂ L-S
6446NE416PUTERE MEDIE NPN UHF-VHF TRANSISTOR
6447NE4160035 V, NPN putere medie UHF VHF-tranzistor
6448NE4160335 V, NPN putere medie UHF VHF-tranzistor
6449NE4160735 V, NPN putere medie UHF VHF-tranzistor
6450NE4161235 V, NPN putere medie UHF VHF-tranzistor
6451NE4161535 V, NPN putere medie UHF VHF-tranzistor
6452NE4162035 V, NPN putere medie UHF VHF-tranzistor
6453NE41632-135 V, NPN putere medie UHF VHF-tranzistor
6454NE41632-235 V, NPN putere medie UHF VHF-tranzistor
6455NE4163535 V, NPN putere medie UHF VHF-tranzistor
6456NE4210M01C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6457NE4210M01-T1C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6458NE4210M01-T2N-canal HJ-FET
6459NE4210S01X la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6460NE4210S01-T1X la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6461NE4210S01-T1BX la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6462NE42484AMODEL NONLINEAR
6463NE425S01C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6464NE425S01-T1C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6465NE425S01-T1BC la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6466NE429M01C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6467NE429M01-T1C la Ku BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANNEL HJ-FET
6468NE429M01-T2N-canal HJ-FET
6469NE434S01C BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANEL HJ-FET
6470NE434S01-T1C BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANEL HJ-FET
6471NE434S01-T1BC BANDA AMPLIFICATOR SUPER LOW NOISE N-CHANEL HJ-FET
6472NE46100NEC NPN TRANSISTOR PENTRU MICROUNDE PUTERE MEDIE
6473NE46134NEC NPN TRANSISTOR PENTRU MICROUNDE PUTERE MEDIE
6474NE46134-T1NEC NPN TRANSISTOR PENTRU MICROUNDE PUTERE MEDIE
6475NE461M02NPN TRANSISTOR EPILAXIAL DE SILICIU AMPLIFICATOR CU FRECVENȚĂ ÎNALTĂ
6476NE461M02-T1NPN TRANSISTOR EPILAXIAL DE SILICIU AMPLIFICATOR CU FRECVENȚĂ ÎNALTĂ
6477NE52118AMPLIFICATOR DE ZBOR LOW S NPN GaAs HBT
6478NE52118-T1AMPLIFICATOR DE ZBOR LOW S NPN GaAs HBT
6479NE52418-T1L a S banda de zgomot redus amplificator NPN GaAs HBT.
6480NE5500179ASILICON POWER MOS FET
6481NE5500179A-T1SILICON POWER MOS FET
6482NE5510179A-T13,5 V operație RF siliciu MOSFET de putere pentru amplificatoare de transmisie 1,9 GHz.
6483NE5510279A-T13,5 V operație RF siliciu MOSFET de putere pentru amplificatoare de transmisie GSM1800.
6484NE5511279ANECS 7,5 V UHF BAND RF PUTERE SILICON LD-MOS FET
6485NE5511279A-T1NECS 7,5 V UHF BAND RF PUTERE SILICON LD-MOS FET
6486NE5511279A-T1ANECS 7,5 V UHF BAND RF PUTERE SILICON LD-MOS FET
6487NE5520279ANECS 3,2 V / 2 W / L&S BANDĂ SILICIU PUTERE MEDIE LD-MOSFET
6488NE5520279A-T1NECS 3,2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
6489NE5520379A-T1A3,2 V, 3 W, L / S banda de silicon putere medie LD-MOSFET NEC.
6490NE552R479A-T1ANEC 3,0 V, 0,25 W, L & S-band siliciu putere medie LD-MOSFET.
6491NE567008 GHz, NPN siliciu de înaltă frecvență tranzistor
6492NE567088 GHz, NPN siliciu de înaltă frecvență tranzistor
6493NE567878 GHz, NPN siliciu de înaltă frecvență tranzistor
6494NE568004.2 GHz, 25 V, NPN de putere medie cu microunde tranzistor
6495NE568034.2 GHz, 25 V, NPN de putere medie cu microunde tranzistor
6496NE568534.2 GHz, 25 V, NPN de putere medie cu microunde tranzistor
6497NE568544.2 GHz, 25 V, NPN de putere medie cu microunde tranzistor
6498NE568874.2 GHz, 25 V, NPN de putere medie cu microunde tranzistor
6499NE569004,5 GHz NPN putere medie cu microunde tranzistor
6500NE56953E4,5 GHz NPN putere medie cu microunde tranzistor
Pagina: | 1 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 80 | 90 | 100 | 110 | 120 | 130 | 140 | 150 | 160 | 170 | 180 | 190 | 200 | 210 | 220 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/nec/1/