|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 2032 | 2033 | 2034 | 2035 | 2036 | 2037 | 2038 | 2039 | 2040 | 2041 | 2042 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
814412SD1615ANPN SILICON TRANSISTORII EPITAXIALE PUTERE MINI MOLDNEC
814422SD1615A-T1Silicon tranzistorNEC
814432SD1615A-T2Silicon tranzistorNEC
814442SD1616Silicon tranzistorNEC
814452SD1616NPN TRANSISTOR DE SILICIU EPITAXIALUnisonic Technologies
814462SD1616Transistor pentru amplificator de putere de frecvență audioUSHA India LTD
814472SD1616(C)Silicon tranzistorNEC
814482SD1616(C)-TSilicon tranzistorNEC
814492SD1616-TSilicon tranzistorNEC
814502SD1616-T/JDSilicon tranzistorNEC
814512SD1616-T/JMSilicon tranzistorNEC
814522SD1616/JDSilicon tranzistorNEC
814532SD1616/JMSilicon tranzistorNEC
814542SD1616ANPN SILICON TRANSISTORMicro Electronics
814552SD1616ASilicon tranzistorNEC
814562SD1616ANPN TRANSISTOR DE SILICIU EPITAXIALUnisonic Technologies
814572SD1616ATranzistor. Amplificator de putere de frecvență audio comutare viteză medie. Tensiunea bazei colectorului Vcbo = 120V. Tensiunea colector-emițător Vceo = 60V. Tensiunea de bază a emițătorului Vebo = 6V. Disiparea colectorului Pc (max) = 0,75W. Curent colector Ic = 1A.USHA India LTD
814582SD1616A-TSilicon tranzistorNEC
814592SD1616A-T/JDSilicon tranzistorNEC
814602SD1616A-T/JMSilicon tranzistorNEC
814612SD1616A/JDSilicon tranzistorNEC
814622SD1616A/JMSilicon tranzistorNEC
814632SD1618Tranzistor bipolar, 15V, 0.7A, VCE Low (sat), NPN Single PCPON Semiconductor
814642SD1618Amplificator de curent înalt de joasă tensiune, aplicații de mutareSANYO
814652SD1619Amplificator LF, aplicații electronice de guvernareSANYO
814662SD1620Aplicații stroboscopice de silicon planare epitaxiale NPN 1,5V, 3VSANYO
814672SD1621Aplicații ale driverelor de curent înalt cu tranzistoare planare epitaxiale din siliciu NPNSANYO
814682SD1622Aplicații de amplificator de putere de joasă frecvențăSANYO
814692SD1623Aplicații de comutare cu curent înalt de tranzistoare planare epitaxiale din siliciu NPNSANYO
814702SD1624Aplicații de comutare a curentului mare de tranzistoare planare epitaxiale din siliciu NPNSANYO
814712SD1625Aplicații driver de tranzistoare planare epitaxiale din siliciu NPNSANYO
814722SD1626General Purpose driverON Semiconductor
814732SD1626Tranzistori epitaxiali planari din siliciu NPN pentru diverși șoferiSANYO
814742SD1627Aplicații ale driverului de tranzistor siliconic planar epitaxial NPNSANYO
814752SD1628Aplicații de comutare cu curent înalt de tranzistor planar siliciu plan epitaxial NPNSANYO
814762SD1630NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORNEC
814772SD1631Transistor Silicon NPN Tip epitaxial (proces PCT) (tranzistor de putere Darlington) Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Aplicații de comutare Aplicații amplificator de putereTOSHIBA
814782SD1632Ieșire cu deviere orizontalăPanasonic
814792SD1632Pachetul tranzistoare de putere NPN siliciu TO-3PFaSavantic
814802SD1633Dispozitiv de alimentare - Tranzistoare de alimentare - ComutarePanasonic
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 2032 | 2033 | 2034 | 2035 | 2036 | 2037 | 2038 | 2039 | 2040 | 2041 | 2042 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com