|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19314 | 19315 | 19316 | 19317 | 19318 | 19319 | 19320 | 19321 | 19322 | 19323 | 19324 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
772721KM416V254DJL-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 70ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772722KM416V254DT-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 50ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772723KM416V254DT-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 60ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772724KM416V254DT-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 70ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772725KM416V254DTL-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 50ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772726KM416V254DTL-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 60ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772727KM416V254DTL-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 70ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772728KM416V256DRAM dinamic CMOS 256K x 16Bit cu modul Pagină rapidăSamsung Electronic
772729KM416V256DJ-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
772730KM416V256DJ-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 60ns, 3.3VSamsung Electronic
772731KM416V256DJ-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 70ns, 3.3VSamsung Electronic
772732KM416V256DLJ-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul rapid pagina, 50ns, 3.3V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772733KM416V256DLJ-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul rapid pagina, 60ns, 3.3V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772734KM416V256DLJ-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul rapid pagina, 70ns, 3.3V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772735KM416V256DLT-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul rapid pagina, 50ns, 3.3V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772736KM416V256DLT-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul rapid pagina, 60ns, 3.3V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772737KM416V256DLT-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul rapid pagina, 70ns, 3.3V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772738KM416V256DT-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
772739KM416V256DT-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 60ns, 3.3VSamsung Electronic
772740KM416V256DT-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 70ns, 3.3VSamsung Electronic
772741KM416V4000BRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidăSamsung Electronic
772742KM416V4000BS-454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45nsSamsung Electronic
772743KM416V4000BS-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50nsSamsung Electronic
772744KM416V4000BS-64M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60nsSamsung Electronic
772745KM416V4000BS-L454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns, de putere micăSamsung Electronic
772746KM416V4000BS-L54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns, de putere micăSamsung Electronic
772747KM416V4000BS-L64M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns, de putere micăSamsung Electronic
772748KM416V4000CRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidăSamsung Electronic
772749KM416V4000CS-454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45nsSamsung Electronic
772750KM416V4000CS-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50nsSamsung Electronic
772751KM416V4000CS-64M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60nsSamsung Electronic
772752KM416V4000CS-L454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns, de putere micăSamsung Electronic
772753KM416V4000CS-L54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns, de putere micăSamsung Electronic
772754KM416V4000CS-L64M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns, de putere micăSamsung Electronic
772755KM416V4004BRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de dateSamsung Electronic
772756KM416V4004BS-454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45nsSamsung Electronic
772757KM416V4004BS-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50nsSamsung Electronic
772758KM416V4004BS-64M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60nsSamsung Electronic
772759KM416V4004BSL-454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns, consum redus de energieSamsung Electronic
772760KM416V4004BSL-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns, consum redus de energieSamsung Electronic
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19314 | 19315 | 19316 | 19317 | 19318 | 19319 | 19320 | 19321 | 19322 | 19323 | 19324 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com