|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19307 | 19308 | 19309 | 19310 | 19311 | 19312 | 19313 | 19314 | 19315 | 19316 | 19317 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
772441KM416C1204CT-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50nsSamsung Electronic
772442KM416C1204CT-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60nsSamsung Electronic
772443KM416C1204CTL-451m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns, VCC = 5.0V, auto-refreshSamsung Electronic
772444KM416C1204CTL-501m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns, VCC = 5.0V, auto-refreshSamsung Electronic
772445KM416C1204CTL-601m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns, VCC = 5.0V, auto-refreshSamsung Electronic
772446KM416C254DRAM dinamic CMOS 256K x 16Bit cu ieșire extinsă de dateSamsung Electronic
772447KM416C254DJ-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772448KM416C254DJ-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772449KM416C254DJ-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772450KM416C254DJL-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 50ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772451KM416C254DJL-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 60ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772452KM416C254DJL-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 70ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772453KM416C254DT-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772454KM416C254DT-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772455KM416C254DT-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772456KM416C254DTL-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 50ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772457KM416C254DTL-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 60ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772458KM416C254DTL-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 70ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772459KM416C256DRAM dinamic CMOS 256K x 16Bit cu modul Pagină rapidăSamsung Electronic
772460KM416C256DJ-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 50ns, 5VSamsung Electronic
772461KM416C256DJ-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 60ns, 5VSamsung Electronic
772462KM416C256DJ-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 70ns, 5VSamsung Electronic
772463KM416C256DLJ-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 50ns, 5V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772464KM416C256DLJ-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 60ns, 5V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772465KM416C256DLJ-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 70ns, 5V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772466KM416C256DLT-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 50ns, 5V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772467KM416C256DLT-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 60ns, 5V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772468KM416C256DLT-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 70ns, 5V, capacitatea de auto-refreshSamsung Electronic
772469KM416C256DT-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 50ns, 5VSamsung Electronic
772470KM416C256DT-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 60ns, 5VSamsung Electronic
772471KM416C256DT-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 70ns, 5VSamsung Electronic
772472KM416C4000BRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidăSamsung Electronic
772473KM416C4000BS-454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 8K reîmprospătare, 45nsSamsung Electronic
772474KM416C4000BS-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 8K reîmprospătare, 50nsSamsung Electronic
772475KM416C4000BS-64M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 8K reîmprospătare, 60nsSamsung Electronic
772476KM416C4000CRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidăSamsung Electronic
772477KM416C4000CS-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 8K reîmprospătare, 50nsSamsung Electronic
772478KM416C4000CS-64M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 8K reîmprospătare, 60nsSamsung Electronic
772479KM416C4004CRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de dateSamsung Electronic
772480KM416C4004CS-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 5V, 8K de reîmprospătare, 50nsSamsung Electronic
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19307 | 19308 | 19309 | 19310 | 19311 | 19312 | 19313 | 19314 | 19315 | 19316 | 19317 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com