|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19036 | 19037 | 19038 | 19039 | 19040 | 19041 | 19042 | 19043 | 19044 | 19045 | 19046 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
761601K6R1016V1D-UC10256Kx4 Bit (cu OE) RAM statică CMOS de mare viteză (funcționare 5.0V).Samsung Electronic
761602K6R1016V1D-UI08256Kx4 Bit (cu OE) RAM statică CMOS de mare viteză (funcționare 5.0V).Samsung Electronic
761603K6R1016V1D-UI10256Kx4 Bit (cu OE) RAM statică CMOS de mare viteză (funcționare 5.0V).Samsung Electronic
761604K6R3024V1DFișă tehnică RAM statică CMOS de mare viteză 128K x 24 biți (funcționare 3,3V)Samsung Electronic
761605K6R3024V1D-HC09RAM statică CMOS de mare viteză 128K x 24 biți (funcționare de 3,3V)Samsung Electronic
761606K6R3024V1D-HC10RAM statică CMOS de mare viteză 128K x 24 biți (funcționare de 3,3V)Samsung Electronic
761607K6R3024V1D-HC12RAM statică CMOS de mare viteză 128K x 24 biți (funcționare de 3,3V)Samsung Electronic
761608K6R3024V1D-HI09RAM statică CMOS de mare viteză 128K x 24 biți (funcționare de 3,3V)Samsung Electronic
761609K6R3024V1D-HI10RAM statică CMOS de mare viteză 128K x 24 biți (funcționare de 3,3V)Samsung Electronic
761610K6R3024V1D-HI12RAM statică CMOS de mare viteză 128K x 24 biți (funcționare de 3,3V)Samsung Electronic
761611K6R4004C1C-CRAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761612K6R4004C1C-C10RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761613K6R4004C1C-C12RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761614K6R4004C1C-C15RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761615K6R4004C1C-C20RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761616K6R4004C1C-ERAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761617K6R4004C1C-E10RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761618K6R4004C1C-E12RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761619K6R4004C1C-E15RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761620K6R4004C1C-E20RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761621K6R4004C1C-IRAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761622K6R4004C1C-I10RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761623K6R4004C1C-I12RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761624K6R4004C1C-I15RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761625K6R4004C1C-I20RAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (5V de funcționare).Samsung Electronic
761626K6R4004C1DRAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (funcționare de 3,3V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industrialeSamsung Electronic
761627K6R4004C1D-JCRAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (funcționare de 3,3V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industrialeSamsung Electronic
761628K6R4004C1D-JC(I)101Mx4 Bit High Speed ​​Static RAM (5.0V de operare). Operat la intervale de temperatură comerciale si industriale.Samsung Electronic
761629K6R4004C1D-JC10RAM static de mare viteză 256Kx16 biți (funcționare 5.0V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale.Samsung Electronic
761630K6R4004C1D-JI10RAM static de mare viteză 256Kx16 biți (funcționare 5.0V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale.Samsung Electronic
761631K6R4004C1D-KC10RAM static de mare viteză 256Kx16 biți (funcționare 5.0V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale.Samsung Electronic
761632K6R4004C1D-KI10RAM static de mare viteză 256Kx16 biți (funcționare 5.0V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale.Samsung Electronic
761633K6R4004V1DRAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (funcționare de 3,3V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industrialeSamsung Electronic
761634K6R4004V1D-JC(I)08_101Mx4 Bit High Speed ​​Static RAM (5.0V de operare). Operat la intervale de temperatură comerciale si industriale.Samsung Electronic
761635K6R4004V1D-JC08RAM static de mare viteză 256Kx16 biți (funcționare 5.0V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale.Samsung Electronic
761636K6R4004V1D-JC10RAM static de mare viteză 256Kx16 biți (funcționare 5.0V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale.Samsung Electronic
761637K6R4004V1D-JI08RAM static de mare viteză 256Kx16 biți (funcționare 5.0V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale.Samsung Electronic
761638K6R4004V1D-JI10RAM static de mare viteză 256Kx16 biți (funcționare 5.0V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale.Samsung Electronic
761639K6R4004V1D-JKCIRAM static 1Mx4 Bit de mare viteză (funcționare de 3,3V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industrialeSamsung Electronic
761640K6R4004V1D-KC08RAM static de mare viteză 256Kx16 biți (funcționare 5.0V). Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale.Samsung Electronic
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19036 | 19037 | 19038 | 19039 | 19040 | 19041 | 19042 | 19043 | 19044 | 19045 | 19046 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com