|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19004 | 19005 | 19006 | 19007 | 19008 | 19009 | 19010 | 19011 | 19012 | 19013 | 19014 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
760321K4N38Fotocuplator (Aceste fotocuplaje constau dintr-un emisor de infraroșu cu arsenidă de galiu)Kondenshi Corp
760322K4N38AFotocuplator (Aceste fotocuplaje constau dintr-un emisor de infraroșu cu arsenidă de galiu)Kodenshi Corp
760323K4N38AFotocuplator (Aceste fotocuplaje constau dintr-un emisor de infraroșu cu arsenidă de galiu)Kondenshi Corp
760324K4N56163QFSDRAM de 256Mbit gDDR2Samsung Electronic
760325K4N56163QF-GCSDRAM de 256Mbit gDDR2Samsung Electronic
760326K4N56163QF-GC25SDRAM de 256Mbit gDDR2Samsung Electronic
760327K4N56163QF-GC30SDRAM de 256Mbit gDDR2Samsung Electronic
760328K4N56163QF-GC37SDRAM de 256Mbit gDDR2Samsung Electronic
760329K4R271669ARDRAM directSamsung Electronic
760330K4R271669A-N(M)CK7256K x 16/18 bit x 2 * 16 Banci dependente Direct RDRAM ™Samsung Electronic
760331K4R271669A-N(M)CK8256K x 16/18 bit x 2 * 16 Banci dependente Direct RDRAM ™Samsung Electronic
760332K4R271669A-NB(M)CCG6256K x 16/18 bit x 2 * 16 Banci dependente Direct RDRAM ™Samsung Electronic
760333K4R271669AM-CG6256K x 16 x 32s bănci dependente RDRAM directă. Timp de acces: 53.3 ns, I / O de frecvențe. 600 de MHz.Samsung Electronic
760334K4R271669AM-CK7256K x 16 x 32s bănci dependente RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe. 711 MHz.Samsung Electronic
760335K4R271669AM-CK8256K x 16 x 32s bănci dependente RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe. 800 de MHz.Samsung Electronic
760336K4R271669AN-CG6256K x 16 x 32s bănci dependente RDRAM directă. Timp de acces: 53.3 ns, I / O de frecvențe de 600 MHz.Samsung Electronic
760337K4R271669AN-CK7256K x 16 x 32s bănci dependente RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe. 711 MHz.Samsung Electronic
760338K4R271669AN-CK8256K x 16 x 32s bănci dependente RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe. 800 de MHz.Samsung Electronic
760339K4R271669BRDRAM directSamsung Electronic
760340K4R271669BFișă tehnică directă RDRAM ™Samsung Electronic
760341K4R271669B-MCG6256K x 16 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 53.3 ns, I / O de frecvențe .: 600 MHz.Samsung Electronic
760342K4R271669B-MCK7256K x 16 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe .: 711 MHz.Samsung Electronic
760343K4R271669B-MCK8256K x 16 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe de 800 MHz .:.Samsung Electronic
760344K4R271669B-N(M)CG6256K x 16/18 bit x 32s bancuri Direct RDRAM ™Samsung Electronic
760345K4R271669B-N(M)CK7256K x 16/18 bit x 32s bancuri Direct RDRAM ™Samsung Electronic
760346K4R271669B-NB(M)CCK8256K x 16/18 bit x 32s bancuri Direct RDRAM ™Samsung Electronic
760347K4R271669B-NCG6256K x 16 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 53.3 ns, I / O de frecvențe .: 600 MHz.Samsung Electronic
760348K4R271669B-NCK7256K x 16 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe .: 711 MHzSamsung Electronic
760349K4R271669B-NCK8256K x 16 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe de 800 MHz .:Samsung Electronic
760350K4R271669DFișă tehnică directă RDRAM ™Samsung Electronic
760351K4R271669D-TRDRAM 128Mbit (D-die)Samsung Electronic
760352K4R271669D-TCS8RDRAM 128Mbit (D-die)Samsung Electronic
760353K4R271669ERDRAM 128Mbit (E-die)Samsung Electronic
760354K4R271669FRDRAM 128Mbit (F-die)Samsung Electronic
760355K4R271869B-MCG6256K x 18 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 53.3 ns, I / O de frecvențe .: 600 MHz.Samsung Electronic
760356K4R271869B-MCK7256K x 18 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe .: 711 MHz.Samsung Electronic
760357K4R271869B-MCK8256K x 18 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe de 800 MHz .:.Samsung Electronic
760358K4R271869B-NCG6256K x 18 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 53.3 ns, I / O de frecvențe .: 600 MHz.Samsung Electronic
760359K4R271869B-NCK7256K x 18 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe .: 711 MHz.Samsung Electronic
760360K4R271869B-NCK8256K x 18 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe de 800 MHz .:.Samsung Electronic
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19004 | 19005 | 19006 | 19007 | 19008 | 19009 | 19010 | 19011 | 19012 | 19013 | 19014 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com