| 759081 | K4E660812E | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759082 | K4E660812E, K4E640812E | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date | Samsung Electronic |
| 759083 | K4E660812E, K4E640812E | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date | Samsung Electronic |
| 759084 | K4E660812E-JC/L | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759085 | K4E660812E-TC/L | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759086 | K4E661611D, K4E641611D | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date | Samsung Electronic |
| 759087 | K4E661612B | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759088 | K4E661612B-L | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759089 | K4E661612B-TC | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759090 | K4E661612B-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 759091 | K4E661612B-TC50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759092 | K4E661612B-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759093 | K4E661612B-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 759094 | K4E661612B-TL50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 759095 | K4E661612B-TL60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 759096 | K4E661612C | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759097 | K4E661612C-45 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759098 | K4E661612C-50 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759099 | K4E661612C-60 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759100 | K4E661612C-L | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759101 | K4E661612C-L45 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759102 | K4E661612C-L50 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759103 | K4E661612C-L60 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759104 | K4E661612C-T | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759105 | K4E661612C-T45 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759106 | K4E661612C-T50 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759107 | K4E661612C-T60 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759108 | K4E661612C-TC | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759109 | K4E661612C-TC45 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759110 | K4E661612C-TC50 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759111 | K4E661612C-TC60 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759112 | K4E661612C-TL45 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759113 | K4E661612C-TL50 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759114 | K4E661612C-TL60 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 759115 | K4E661612D | CMOS DRAM | Samsung Electronic |
| 759116 | K4E661612D, K4E641612D | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date | Samsung Electronic |
| 759117 | K4E661612D, K4E641612D | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date | Samsung Electronic |
| 759118 | K4E661612E, K4E641612E | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date | Samsung Electronic |
| 759119 | K4E661612E, K4E641612E | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date extinsă de ieșire de date | Samsung Electronic |
| 759120 | K4EB-110V-1 | K-releu. Design unic releu. 4 formă de tensiune C. Coil 110 V DC. Plug-in și lipire. Releu sensibil obișnuit. Amber sigilate tip. | Matsushita Electric Works(Nais) |
