|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 17943 | 17944 | 17945 | 17946 | 17947 | 17948 | 17949 | 17950 | 17951 | 17952 | 17953 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
717881IRF153Trans MOSFET N-CH 80V 30A 3-Pin (2 + Tab) TO-3New Jersey Semiconductor
717882IRF153MOSFETE DE PUTERE N-CANALSamsung Electronic
717883IRF153RTrans MOSFET N-CH 80V 30A 3-Pin (2 + Tab) TO-3New Jersey Semiconductor
717884IRF1607MOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N de 75V într-un pachet TO-220ABInternational Rectifier
717885IRF1607PBFMOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N de 75V într-un pachet TO-220ABInternational Rectifier
717886IRF1704MOSFET de putere (Vdss = 40V, Rds (pornit) = 0,004ohm, Id = 170A¨ě)International Rectifier
717887IRF1730GMOSFET de putere (Vdss = 400V / Rds (pornit) = 1.0ohm / Id = 3.7A)International Rectifier
717888IRF1902MOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N 20V într-un pachet SO-8International Rectifier
717889IRF1902TRMOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N 20V într-un pachet SO-8International Rectifier
717890IRF1902TRPBFMOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N 20V într-un pachet SO-8International Rectifier
717891IRF1902UPBFMOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N de 20V într-un pachet SO-8 fără plumb proiectat și calificat pentru piața de consumInternational Rectifier
717892IRF20050W până la 500W REZISTENȚE ÎNFILATE CU Sârmă DE POTENȚĂ DE ÎNALTĂ LĂZITĂ DIN ALUMINIU CU FORMAT PLATetc
717893IRF200S100RJ50W până la 500W REZISTENȚE ÎNFILATE CU Sârmă DE POTENȚĂ DE ÎNALTĂ LĂZITĂ DIN ALUMINIU CU FORMAT PLATetc
717894IRF220MOSFET-uri de putere N-Channel / 7A / 150-200VFairchild Semiconductor
717895IRF220N-canal de alimentare accesoriu-mode cu efect de câmp tranzistor. Drain-sourge tensiune 200V. Curent de scurgere continuu (la Tc 25deg) 5.0A.General Electric Solid State
717896IRF220MOSFET-uri de putere 4.0A și 5.0A / 150V și 200V / 0.8 și 1.2 Ohm / N-ChannelIntersil
717897IRF220Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin (2 + Tab) TO-3New Jersey Semiconductor
717898IRF220MOSFETE DE PUTERE N-CANALSamsung Electronic
717899IRF220-223MOSFET-uri de putere N-Channel / 7A / 150-200VFairchild Semiconductor
717900IRF2204MOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N de 40V într-un pachet TO-220ABInternational Rectifier
717901IRF2204LMOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N de 40V într-un pachet TO-262International Rectifier
717902IRF2204LPBFMOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N de 40V într-un pachet TO-262International Rectifier
717903IRF2204PBFMOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N de 40V într-un pachet TO-220ABInternational Rectifier
717904IRF2204SMOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N de 40V într-un pachet D2-PakInternational Rectifier
717905IRF2204SPBFMOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N de 40V într-un pachet D2-PakInternational Rectifier
717906IRF221MOSFET-uri de putere N-Channel / 7A / 150-200VFairchild Semiconductor
717907IRF221N-canal de alimentare accesoriu-mode cu efect de câmp tranzistor. Drain-sourge tensiune 150V. Curent de scurgere continuu (la Tc 25deg) 5.0A.General Electric Solid State
717908IRF221MOSFET-uri de putere 4.0A și 5.0A / 150V și 200V / 0.8 și 1.2 Ohm / N-ChannelIntersil
717909IRF221Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin (2 + Tab) TO-3New Jersey Semiconductor
717910IRF221MOSFETE DE PUTERE N-CANALSamsung Electronic
717911IRF222MOSFET-uri de putere N-Channel / 7A / 150-200VFairchild Semiconductor
717912IRF222N-canal de alimentare accesoriu-mode cu efect de câmp tranzistor. Drain-sourge tensiune 200V. Curent de scurgere continuu (la Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
717913IRF222MOSFET-uri de putere 4.0A și 5.0A / 150V și 200V / 0.8 și 1.2 Ohm / N-ChannelIntersil
717914IRF222Trans MOSFET N-CH 200V 4A 3-Pin (2 + Tab) TO-3New Jersey Semiconductor
717915IRF222MOSFETE DE PUTERE N-CANALSamsung Electronic
717916IRF223MOSFET-uri de putere N-Channel / 7A / 150-200VFairchild Semiconductor
717917IRF223N-canal de alimentare accesoriu-mode cu efect de câmp tranzistor. Drain-sourge tensiune 150V. Curent de scurgere continuu (la Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
717918IRF223MOSFET-uri de putere 4.0A și 5.0A / 150V și 200V / 0.8 și 1.2 Ohm / N-ChannelIntersil
717919IRF223Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin (2 + Tab) TO-3New Jersey Semiconductor
717920IRF223MOSFETE DE PUTERE N-CANALSamsung Electronic
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 17943 | 17944 | 17945 | 17946 | 17947 | 17948 | 17949 | 17950 | 17951 | 17952 | 17953 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com