| 68921 | 2N5407 | Trans GP BJT PNP 100V 5A cu 3 pini TO-5 | New Jersey Semiconductor |
| 68922 | 2N5407 | TRANSISTORE PNP CU SEMNAL MIC ÎN TO-5 | SemeLAB |
| 68923 | 2N540A | Trans GP BJT PNP 120V 0.6A 3-Pin TO-92 Cutie | New Jersey Semiconductor |
| 68924 | 2N541 | Manșon Trans GP BJT NPN 80V 7A cu 3 pini (2 + Tab) TO-66 | New Jersey Semiconductor |
| 68925 | 2N5414 | Dispozitiv Nip bipolar într-un pachet metalic hermetic TO39 | SemeLAB |
| 68926 | 2N5415 | AMPLIFICATORI DE TENSIUNE ÎNALTĂ | Boca Semiconductor Corporation |
| 68927 | 2N5415 | Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 68928 | 2N5415 | Scopul 1.000W General PNP metal poate tranzistor. 200V Vceo, 1.000A Ic, 30-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 68929 | 2N5415 | PNP siliciu tranzistor de putere. | Fairchild Semiconductor |
| 68930 | 2N5415 | De înaltă tensiune PNP siliciu plane tranzistor. | General Electric Solid State |
| 68931 | 2N5415 | PNP tranzistor | Microsemi |
| 68932 | 2N5415 | Trans GP BJT PNP 200V 1A cu 3 pini TO-5 | New Jersey Semiconductor |
| 68933 | 2N5415 | PNP tranzistori de înaltă tensiune | Philips |
| 68934 | 2N5415 | TRANSISTORURI PNP SILICON | SGS Thomson Microelectronics |
| 68935 | 2N5415 | TRANSISTORURI PNP SILICON | ST Microelectronics |
| 68936 | 2N5415/B | Trans GP BJT PNP 200V 1A cu 3 pini TO-39 | New Jersey Semiconductor |
| 68937 | 2N5415CSM4 | PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR ÎN PACHET DE MONTAJ CERAMIC ETANCHAT HERMETIC PENTRU APLICAȚII DE Fiabilitate ridicată | SemeLAB |
| 68938 | 2N5415S | PNP tranzistor | Microsemi |
| 68939 | 2N5415S | AMPLIFICATOR DE VOLTAJ ÎNALT | SGS Thomson Microelectronics |
| 68940 | 2N5415S | AMPLIFICATOR DE VOLTAJ ÎNALT | ST Microelectronics |
| 68941 | 2N5415U4 | PNP tranzistor | Microsemi |
| 68942 | 2N5415UA | PNP tranzistor | Microsemi |
| 68943 | 2N5416 | AMPLIFICATORI DE TENSIUNE ÎNALTĂ | Boca Semiconductor Corporation |
| 68944 | 2N5416 | Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 68945 | 2N5416 | Scopul 1.000W General PNP metal poate tranzistor. 300V Vceo, 1.000A Ic, 30-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 68946 | 2N5416 | PNP siliciu tranzistor de putere. | Fairchild Semiconductor |
| 68947 | 2N5416 | De înaltă tensiune PNP siliciu plane tranzistor. | General Electric Solid State |
| 68948 | 2N5416 | PNP tranzistor | Microsemi |
| 68949 | 2N5416 | Trans GP BJT PNP 300V 1A Cutie TO-39 cu 3 pini | New Jersey Semiconductor |
| 68950 | 2N5416 | PNP tranzistori de înaltă tensiune | Philips |
| 68951 | 2N5416 | TRANSISTORURI PNP SILICON | SGS Thomson Microelectronics |
| 68952 | 2N5416 | TRANSISTORURI PNP SILICON | ST Microelectronics |
| 68953 | 2N5416CSM4 | PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR ÎN PACHET DE MONTAJ CERAMIC ETANCHAT HERMETIC PENTRU APLICAȚII DE Fiabilitate ridicată | SemeLAB |
| 68954 | 2N5416S | PNP tranzistor | Microsemi |
| 68955 | 2N5416S | Trans GP BJT PNP 300V 1A cu 3 pini TO-39 | New Jersey Semiconductor |
| 68956 | 2N5416SB | Trans GP BJT PNP 300V 1A cu 3 pini TO-39 | New Jersey Semiconductor |
| 68957 | 2N5416SGGGJ | Trans GP BJT PNP 300V 1A cu 3 pini TO-39 | New Jersey Semiconductor |
| 68958 | 2N5416U4 | PNP tranzistor | Microsemi |
| 68959 | 2N5416UA | PNP tranzistor | Microsemi |
| 68960 | 2N542 | Manșon Trans GP BJT NPN 80V 7A cu 3 pini (2 + Tab) TO-66 | New Jersey Semiconductor |
