Datasheet Ro
  |   Home   |   Producatori   |   Dupa Functii   |  

Denumire componenta, descriere, producator:    
Salt rapid la:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  
  LM317   LM339   MAX232   NE555   LM324   8051   7805   2N3055   LM358   2N2222   74LS138   TDA7294   TL431   IRF540   1N4148   AD590



Datasheet-uri gasite :: 1351360Pagina: << | 1637 | 1638 | 1639 | 1640 | 1641 | 1642 | 1643 | 1644 | 1645 | 1646 | 1647 | >>
Nr.NumeDescriereProducator
6564130KW120A120.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6564230KW132132.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6564330KW132A132.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6564430KW144144.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6564530KW144A144.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6564630KW156156.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6564730KW156A156.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6564830KW168168.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6564930KW168A168.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6565030KW180180.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6565130KW180A180.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6565230KW198198.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6565330KW198A198.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6565430KW216216.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6565530KW216A216.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6565630KW240240.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6565730KW240A240.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6565830KW258258.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6565930KW258A258.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6566030KW270270.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6566130KW270A270.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6566230KW288288.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6566330KW288A288.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolareMDE Semiconductor
6566430L30CT30V 30A Schottky Common Cathode Diode in a TO-220AB packageInternational Rectifier
6566530L30CT-130V 30A Schottky Common Cathode Diode in a TO-262 packageInternational Rectifier
6566630L30CTCSCHOTTKY RECTIFIERInternational Rectifier
6566730L30CTS30V 30A Schottky Common Cathode Diode in a D2-Pak packageInternational Rectifier
6566830L30CTSTRL30V 30A Schottky Common Cathode Diode in a D2-Pak packageInternational Rectifier
6566930L30CTSTRR30V 30A Schottky Common Cathode Diode in a D2-Pak packageInternational Rectifier
6567030L6P45RECTIFIER MODULE SILICON DIFFUSED TYPE ( THREE PHASE FULL WAVE BRIDGE APPLICATIONS)TOSHIBA
6567130LJQ04530V 45A Hi-Rel Schottky Discrete Diode in a SMD-0.5 packageInternational Rectifier
6567230LJQ10030V 100A Hi-Rel Schottky Discrete Diode in a SMD-0.5 packageInternational Rectifier
6567330LJQ15030V 150A Hi-Rel Schottky Discrete Diode in a SMD-0.5 packageInternational Rectifier
6567430LQJ100SCHOTTKY RECTIFIERInternational Rectifier
6567530LT30CTSchottky RectifierMicrosemi
6567630LVAC Line Rated Disc CapacitorsVishay
6567730LVD10AC Line Rated Disc CapacitorsVishay
6567830LVD15AC Line Rated Disc CapacitorsVishay
6567930LVD20AC Line Rated Disc CapacitorsVishay
6568030LVD22AC Line Rated Disc CapacitorsVishay
Datasheet-uri gasite :: 1351360Pagina: << | 1637 | 1638 | 1639 | 1640 | 1641 | 1642 | 1643 | 1644 | 1645 | 1646 | 1647 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Versione italiana per questa pagina Versin espaola para esta pgina Verso portuguese para esta pgina




© 2018 - www Datasheet Catalog net