Datasheet Ro
  |   Home   |   Producatori   |   Dupa Functii   |  

Denumire componenta, descriere, producator:    
Salt rapid la:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  
  LM317   LM339   MAX232   NE555   LM324   8051   7805   2N3055   LM358   2N2222   74LS138   TDA7294   TL431   IRF540   1N4148   AD590


Datasheet-uri gasite :: 1351360Pagina: << | 14970 | 14971 | 14972 | 14973 | 14974 | 14975 | 14976 | 14977 | 14978 | 14979 | 14980 | >>
Nr.NumeDescriereProducator
598961K4F151612D-J1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598962K4F151612D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598963K4F16(7)0811(2)D2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode Data SheetSamsung Electronic
598964K4F160411C-B504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50nsSamsung Electronic
598965K4F160411C-B604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60nsSamsung Electronic
598966K4F160411C-F504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50nsSamsung Electronic
598967K4F160411C-F604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60nsSamsung Electronic
598968K4F160411D4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page ModeSamsung Electronic
598969K4F160411D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598970K4F160411D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598971K4F160412C-B504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598972K4F160412C-B604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598973K4F160412C-F504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598974K4F160412C-F604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598975K4F160412D4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page ModeSamsung Electronic
598976K4F160412D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598977K4F160412D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598978K4F160811D2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page ModeSamsung Electronic
598979K4F160811D-B2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598980K4F160811D-F2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598981K4F160812D2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page ModeSamsung Electronic
598982K4F160812D-B2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598983K4F160812D-F2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598984K4F170411C-B504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50nsSamsung Electronic
598985K4F170411C-B604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60nsSamsung Electronic
598986K4F170411C-F504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50nsSamsung Electronic
598987K4F170411C-F604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60nsSamsung Electronic
598988K4F170411D4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page ModeSamsung Electronic
598989K4F170411D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598990K4F170411D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598991K4F170412C-B504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598992K4F170412C-B604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598993K4F170412C-F504M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598994K4F170412C-F604M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598995K4F170412D4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page ModeSamsung Electronic
598996K4F170412D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598997K4F170412D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
598998K4F170811D2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page ModeSamsung Electronic
598999K4F170811D-B2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
599000K4F170811D-F2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare.Samsung Electronic
Datasheet-uri gasite :: 1351360Pagina: << | 14970 | 14971 | 14972 | 14973 | 14974 | 14975 | 14976 | 14977 | 14978 | 14979 | 14980 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Versione italiana per questa pagina Versin espaola para esta pgina Verso portuguese para esta pgina



© 2017 - www Datasheet Catalog net