| 436601 | DSWM6309 | DAICO HDI & Subansambluri | DAICO Industries |
| 436602 | DSWM9040 | DAICO HDI & Subansambluri | DAICO Industries |
| 436603 | DSWM9073 | DAICO HDI & Subansambluri | DAICO Industries |
| 436604 | DSWT1981 | DAICO Comutatoare SPST, TRANSFER | DAICO Industries |
| 436605 | DSWT2180 | DAICO Comutatoare SPST, TRANSFER | DAICO Industries |
| 436606 | DSWX5034 | DAICO HDI & Subansambluri | DAICO Industries |
| 436607 | DSWX9078 | DAICO HDI & Subansambluri | DAICO Industries |
| 436608 | DSX321G | Rezonatoare de cristal de tip SMD | etc |
| 436609 | DSZ412SE | Diodă de avalanșă | Dynex Semiconductor |
| 436610 | DSZ412SE44 | Diodă de avalanșă | Dynex Semiconductor |
| 436611 | DS_CELSIUS_H210 | Puterea stației de lucru CELSIUS H210 în format notebook | Fujitsu Microelectronics |
| 436612 | DS_CELSIUS_M420 | CELSIUS M420 Obțineți mai multă putere | Fujitsu Microelectronics |
| 436613 | DS_K1S161611A | Memorie de acces aleatoriu 1-x 16 biți cu tranzistor | Samsung Electronic |
| 436614 | DS_K1S16161CA | 1Mx16 biți Mod pagină Uni-Transistor Random Access Memory | Samsung Electronic |
| 436615 | DS_K4D263238D | 1M x 32Bit x 4 Bănci Rată de date dublă DRAM sincron cu stroboscop de date bidirecțional și DLL | Samsung Electronic |
| 436616 | DS_K4S161622D | 1M x 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 436617 | DS_K4S161622E | 1M x 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 436618 | DS_K6F1016U4C | 64K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune scăzută | Samsung Electronic |
| 436619 | DS_K6F2008U2E | RAM static 256 CM x 8 biți cu putere redusă și tensiune redusă CMOS complet | Samsung Electronic |
| 436620 | DS_K6F2016U4E | 128K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusă | Samsung Electronic |
| 436621 | DS_K6F3216T6M | 2M x16 biți RAM statică CMOS complet cu putere redusă și tensiune scăzută | Samsung Electronic |
| 436622 | DS_K6F4016U6G | 256Kx16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusă | Samsung Electronic |
| 436623 | DS_K6F8016U6B | 512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusă | Samsung Electronic |
| 436624 | DS_K6F8016U6C | 512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusă | Samsung Electronic |
| 436625 | DS_K6X8008C2B | 1Mx8 biți RAM statică CMOS cu putere redusă și joasă tensiune | Samsung Electronic |
| 436626 | DS_K6X8008TBN | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
| 436627 | DS_K6X8016C3B | 64Kx36 & 64Kx32-Bit Synchron Pipelined Burst SRAM | Samsung Electronic |
| 436628 | DS_K7A803600B | 256Kx36 și 512Kx18 SRAM sincron | Samsung Electronic |
| 436629 | DS_K7B803625B | SRAM de rafală sincronă 256Kx36 și 512Kx18-Bit | Samsung Electronic |
| 436630 | DS_K7M323625M | 1Mx36 și 2Mx18 NtRAM de curgere | Samsung Electronic |
| 436631 | DS_K7M803625B | Flux 256Kx36 și 512Kx18-Bit prin NtRAM | Samsung Electronic |
| 436632 | DS_K7N163601A | 512Kx36 și 1Mx18 NtRAM cu conducte | Samsung Electronic |
| 436633 | DS_K7N323601M | 1Mx36 și 2Mx18-Bit Pipelined NtRAM | Samsung Electronic |
| 436634 | DS_K7N803601B | 256Kx36 și 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM | Samsung Electronic |
| 436635 | DS_K7N803645B | 256Kx36 și 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM ™ | Samsung Electronic |
| 436636 | DS_K7R323682M | 1Mx36 și 2Mx18 și 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM | Samsung Electronic |
| 436637 | DS_K9F1208U0M | Memorie flash NAND de 64M x 8 biți | Samsung Electronic |
| 436638 | DS_K9K1208U0A | Memorie flash NAND de 64M x 8 biți | Samsung Electronic |
| 436639 | DS_M366S2953MTS | PC133 / PC100 DIMM fără tampon | Samsung Electronic |
| 436640 | DS_M368L3223DTL | MODULUL SDRAM DDR de 256 MB | Samsung Electronic |
