| 365841 | CPH6526 | PNP + NPN | SANYO |
| 365842 | CPH6531 | Tranzistor bipolar,-50V,-1A, VCE Low (sat) PNP dual CPH6 | ON Semiconductor |
| 365843 | CPH6532 | Bipolar Transistor, 50V, 1A, Low VCE (sat) NPN dual CPH6 | ON Semiconductor |
| 365844 | CPH6601 | Pch + Pch | SANYO |
| 365845 | CPH6602 | Nch + Nch | SANYO |
| 365846 | CPH6603 | Pch + Pch | SANYO |
| 365847 | CPH6604 | Nch + Nch | SANYO |
| 365848 | CPH6605 | Pch + Nch | SANYO |
| 365849 | CPH6610 | Pch + Nch | SANYO |
| 365850 | CPH6612 | Nch + Nch | SANYO |
| 365851 | CPH6613 | Nch + Nch | SANYO |
| 365852 | CPH6614 | Pch + Nch | SANYO |
| 365853 | CPH6615 | Pch + Nch | SANYO |
| 365854 | CPH6616 | Nch + Nch | SANYO |
| 365855 | CPH6701 | PNP tranzistor planar siliciu planar Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications | SANYO |
| 365856 | CPH6702 | TR: PNP Tranzistor planar de siliciu epitaxial SBD: Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications | SANYO |
| 365857 | CPH6704 | CPH6704 | SANYO |
| 365858 | CPH6801 | MOSFET: P-Channel Silicon MOSFET SBD: Schottky Barrier Diode | SANYO |
| 365859 | CPI-210 | INTERRUPTOR FOTOGRAFIC MONTABIL DE SUPRAFATA | Unknow |
| 365860 | CPL | Putere comercială, plumb axial, construcție anorganică ignifugă, construcție complet sudată, conductivitate termică ridicată și rezistență la umiditate pentru sistemele apoase de spălare a plăcilor | Vishay |
| 365861 | CPL-WB-00C2 | Wide bandă cuplaj direcționale cu port ISO | ST Microelectronics |
| 365862 | CPL-WB-00D3 | Wide bandă cuplaj direcționale cu port ISO | ST Microelectronics |
| 365863 | CPL-WB-01D3 | Wide-band cuplaj direcționale cu port ISO | ST Microelectronics |
| 365864 | CPL-WB-02D3 | Wide-band, cuplaj de direcție cu integrat 50 ohm încărcate de port izolat | ST Microelectronics |
| 365865 | CPL-WBF-00D3 | Wide bandă cuplaj direcționale cu port ISO | ST Microelectronics |
| 365866 | CPM100 | PRODUS DISCONTINUU. Nu mai este recomandat pentru un design nou. | Burr Brown |
| 365867 | CPM2-1200-0025B | A doua generație Z-FET® 1200V, 25-mÎ ©, matriță goală MOSFET din siliciu-carbură | Wolfspeed |
| 365868 | CPM2-1200-0040B | A doua generație Z-FET® 1200V, 40-mÎ, matriță goală MOSFET din siliciu-carbură | Wolfspeed |
| 365869 | CPM2-1200-0080B | A doua generație Z-FET® 1200V, 80-mÎ, matriță goală MOSFET din silicon | Wolfspeed |
| 365870 | CPM2-1200-0160B | A doua generație Z-FET® 1200V, 160-mÎ, matriță goală MOSFET din siliciu-carbură | Wolfspeed |
| 365871 | CPM2-1700-0045B | Carbură de siliciu Puterea MOSFET C2M Planar MOSFET Tehnologie Mod N-Canal Îmbunătățire | Wolfspeed |
| 365872 | CPMC1300 | Prezentare generală și specificații ale fotomultiplicatorilor de canale | PerkinElmer Optoelectronics |
| 365873 | CPQ150 | Forma cipului: SILICON TRIAC | Central Semiconductor |
| 365874 | CPR | Putere comercială, terminale radiale, construcție anorganică ignifugă, montare directă pe circuite imprimate, file de montare cu blocare a circuitelor, stiluri fuzibile disponibile | Vishay |
| 365875 | CPR1-060 | Redresor cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 365876 | CPR1-100 | Redresor cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 365877 | CPR1F-010 | Redresare rapidă cu redresor cu plumb | Central Semiconductor |
| 365878 | CPR1F-040 | Redresare rapidă cu redresor cu plumb | Central Semiconductor |
| 365879 | CPR1F-060 | Redresare rapidă cu redresor cu plumb | Central Semiconductor |
| 365880 | CPR1F-100 | Redresare rapidă cu redresor cu plumb | Central Semiconductor |
