299641 | BSM75GB120DLC | Hchstzulssige Werte Valorile nominale maxime | Eupec GmbH |
299642 | BSM75GB120DN2 | Modul de alimentare IGBT (jumătate de punte, inclusiv pachete de diode cu roți libere rapide, cu placă metalică izolată) | Siemens |
299643 | BSM75GB170DN2 | Modul de alimentare IGBT (jumătate de punte, inclusiv pachete de diode cu roți libere rapide, cu placă metalică izolată) | Siemens |
299644 | BSM75GB60DLC | Hchstzulssige Werte Valorile nominale maxime | Eupec GmbH |
299645 | BSM75GD120DN2 | Modul de alimentare IGBT (modul de alimentare sudabil trifazat cu punte completă, inclusiv diode rapide cu roți libere) | Siemens |
299646 | BSN10 | Tranzistoare D-MOS verticale în modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299647 | BSN10A | Tranzistoare D-MOS verticale în modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299648 | BSN20 | N-CHANNEL CREȘTEREA MODE DOMENIUL MOSFET | Diodes |
299649 | BSN20 | TrenchMOS N-canal nivel extrem de scăzut FET | Nexperia |
299650 | BSN20 | TrenchMOS N-canal nivel extrem de scăzut FET | NXP Semiconductors |
299651 | BSN20 | Tranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299652 | BSN20-7 | N-CHANNEL CREȘTEREA MODE DOMENIUL MOSFET | Diodes |
299653 | BSN205 | Tranzistor D-MOS vertical cu modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299654 | BSN205A | Tranzistor D-MOS vertical cu modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299655 | BSN20BK | MOSFET de șanț de 60 V, canal N | Nexperia |
299656 | BSN20W | Tranzistor D-MOS vertical cu modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299657 | BSN254 | Tranzistor D-MOS vertical cu modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299658 | BSN254A | Tranzistor D-MOS vertical cu modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299659 | BSN274 | Tranzistor D-MOS vertical cu modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299660 | BSN274A | Tranzistor D-MOS vertical cu modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299661 | BSN304 | Tranzistor D-MOS vertical cu modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299662 | BSN304A | Tranzistoare D-MOS verticale în modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
299663 | BSO 612 CV | Căutare parametrică SIPMOS® | Infineon |
299664 | BSO 615 C | Căutare parametrică SIPMOS® | Infineon |
299665 | BSO 615 N | MOSFET dual-canal N, 60V, SO-8, RDSon = 150mW, 2.6A, LL | Infineon |
299666 | BSO-302SN | Tranzistor cu semnal mic SIPMOS | Infineon |
299667 | BSO052N03S | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET de putere OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 5.2mOhm, 17A, LL | Infineon |
299668 | BSO064N03S | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET de putere OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 6,4mOhm, 16A, LL | Infineon |
299669 | BSO072N03S | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET de putere OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 6,8mOhm, 15A, LL | Infineon |
299670 | BSO080P03S | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET OptiMOS, -30V, SO-8, Ron = 8m | Infineon |
299671 | BSO094N03S | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET de putere OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 9,1mOhm, 13A, LL | Infineon |
299672 | BSO104N03S | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET de putere OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 9.7mOhm, 13A, LL | Infineon |
299673 | BSO119N03S | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET de putere OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 11,9mOhm, 11A, LL | Infineon |
299674 | BSO130P03S | OptiMOS MOSFET, -30V, SO-8, Ron = 13mW, 11.3A, LL | Infineon |
299675 | BSO150N03 | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET de putere OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 15mOhm, 9.1A, LL, dual | Infineon |
299676 | BSO200N03S | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET de putere OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 20mOhm, 8.8A, LL | Infineon |
299677 | BSO200P03S | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET OptiMOS, -30V, SO-8, Ron = 20m | Infineon |
299678 | BSO201SP | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET OptiMOS, -20V, SO-8 | Infineon |
299679 | BSO203P | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET OptiMOS, -20V, SO-8 | Infineon |
299680 | BSO203SP | MOSFET-uri de joasă tensiune - MOSFET OptiMOS, -20V, SO-8 | Infineon |