| 287121 | BF989 | MOS-FET dual-gate cu canal N | Philips |
| 287122 | BF990A | MOS-FET dual-gate cu canal N | Philips |
| 287123 | BF991 | N-channel dual-gate MOSFET | NXP Semiconductors |
| 287124 | BF991 | MOS-FET dual-gate cu canal N | Philips |
| 287125 | BF992 | N-channel dual-gate MOSFET | NXP Semiconductors |
| 287126 | BF992 | Silicon N-channel dual gate MOS-FET | Philips |
| 287127 | BF994 | MOS-FET dual-gate cu canal N | Philips |
| 287128 | BF994 | Silicon N Channel MOSFET Tetrode (pentru aplicații VHF / în special pentru trepte de intrare și mixer cu o gamă largă de reglare / de exemplu în tunere CATV) | Siemens |
| 287129 | BF994 | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode / Depletion Mode | Vishay |
| 287130 | BF994S | N-channel dual-gate MOSFET | NXP Semiconductors |
| 287131 | BF994S | MOS-FET dual-gate cu canal N | Philips |
| 287132 | BF994S | Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Pentru aplicații VHF, în special pentru trepte de intrare și mixer cu o gamă largă de reglare, de ex. În tunere CATV) | Siemens |
| 287133 | BF994S | N-Channel Dual Gate MOS & Tetrode Fieldeffect, Mod de epuizare | Vishay |
| 287134 | BF994SA | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode / Depletion Mode | Vishay |
| 287135 | BF994SB | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode / Depletion Mode | Vishay |
| 287136 | BF995 | Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Pentru etapele de intrare și mixer în tunere TV FM și VHF) | Siemens |
| 287137 | BF995 | N-Channel Dual Gate MOS & Tetrode Fieldeffect, Mod de epuizare | Vishay |
| 287138 | BF995A | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode / Depletion Mode | Vishay |
| 287139 | BF995B | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode / Depletion Mode | Vishay |
| 287140 | BF996S | N-channel dual-gate MOSFET | NXP Semiconductors |
| 287141 | BF996S | MOS-FET dual-gate cu canal N | Philips |
| 287142 | BF996S | Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Pentru etapele de intrare în tunerele TV UHF Transconductanță ridicată Zgomot redus) | Siemens |
| 287143 | BF996S | N-Channel Dual Gate MOS & Tetrode Fieldeffect, Mod de epuizare | Vishay |
| 287144 | BF996SA | N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode / Depletion Mode | Vishay |
| 287145 | BF996SB | N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode / Depletion Mode | Vishay |
| 287146 | BF997 | MOS-FET dual-gate cu canal N | Philips |
| 287147 | BF997 | Silicon N Channel MOSFET Tetrode (rețea de suprimare integrată împotriva oscilațiilor false VHF) | Siemens |
| 287148 | BF998 | RF-MOSFET - VDS = 8V, gfs = 24mS, Gps = 28dB, F = 1dB | Infineon |
| 287149 | BF998 | N-channel dual-gate MOSFET | NXP Semiconductors |
| 287150 | BF998 | MOS-FET cu dublă poartă cu canal N din siliciu | Philips |
| 287151 | BF998 | Silicon N Channel MOSFET Tetrode (tranzistor cu canale scurte cu factor de calitate S / C ridicat Pentru trepte de intrare cu zgomot redus, controlate de câștig de până la 1 GHz) | Siemens |
| 287152 | BF998 | N-Channel Dual Gate MOS & Tetrode Fieldeffect, Mod de epuizare | Vishay |
| 287153 | BF998A | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode / Depletion Mode | Vishay |
| 287154 | BF998B | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode / Depletion Mode | Vishay |
| 287155 | BF998R | RF-MOSFET - VDS = 8V, gfs = 24mS, Gps = 28dB, F = 1dB | Infineon |
| 287156 | BF998R | N-channel dual-gate MOSFET | NXP Semiconductors |
| 287157 | BF998R | MOS-FET cu dublă poartă cu canal N din siliciu | Philips |
| 287158 | BF998R | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (tranzistor cu canal scurt cu factor de calitate S / C ridicat) | Siemens |
| 287159 | BF998R | N-Channel Dual Gate MOS & Tetrode Fieldeffect, Mod de epuizare | Vishay |
| 287160 | BF998RA | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode / Depletion Mode | Vishay |
