| 1311281 | PSMN075-100MSE | N-canal de 100 V 71 mW MOSFET nivel standard în LFPAK33 special concepute pentru aplicații PoE | NXP Semiconductors |
| 1311282 | PSMN085-150K | N-canal TrenchMOS SiliconMAX nivel standard FET | NXP Semiconductors |
| 1311283 | PSMN085-150K | Tranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
| 1311284 | PSMN0R7-25YLD | Canal N 25 V, 0,72 mÎ, 300 A MOSFET la nivel logic în LFPAK56 folosind tehnologia NextPowerS3 | Nexperia |
| 1311285 | PSMN0R9-25YLC | N-channel 25 V nivel de 0,99 mW logica MOSFET în LFPAK folosind tehnologia NextPower | Nexperia |
| 1311286 | PSMN0R9-25YLC | N-channel 25 V nivel de 0,99 mW logica MOSFET în LFPAK folosind tehnologia NextPower | NXP Semiconductors |
| 1311287 | PSMN0R9-25YLD | Canal N 25 V, 0,85 mÎ, MOSFET de nivel logic 300 A în LFPAK56 folosind tehnologia NextPowerS3 | Nexperia |
| 1311288 | PSMN0R9-30ULD | Canal N 30 V, 0,87 mÎ ©, MOSFET de nivel logic 300 A în pachetul îmbunătățit SOT1023A pentru UL2595, utilizând tehnologia NextPowerS3 Schottky-Plus | Nexperia |
| 1311289 | PSMN0R9-30YLD | Canal N 30 V, 0,87 mÎ, MOSFET de nivel logic 300 A în LFPAK56 folosind tehnologia NextPowerS3 | Nexperia |
| 1311290 | PSMN0R9-30YLD | N-canal de 30 V, 0,87 mW nivel de logica MOSFET în LFPAK56 folosind NextPowerS3 Technology | NXP Semiconductors |
| 1311291 | PSMN102-200Y | N-canal TrenchMOS SiliconMAX nivel standard FET | Nexperia |
| 1311292 | PSMN102-200Y | N-canal TrenchMOS SiliconMAX nivel standard FET | NXP Semiconductors |
| 1311293 | PSMN130-200D | N-canal TrenchMOS SiliconMAX nivel standard FET | Nexperia |
| 1311294 | PSMN130-200D | N-canal TrenchMOS SiliconMAX nivel standard FET | NXP Semiconductors |
| 1311295 | PSMN130-200D | Tranzistor cu canal N TrenchMOS (tm) | Philips |
| 1311296 | PSMN155-200K | 200 V, N-canal mod accesoriu cu efect de câmp tranzistor | Philips |
| 1311297 | PSMN165-200K | N-canal TrenchMOS SiliconMAX nivel standard FET | NXP Semiconductors |
| 1311298 | PSMN165-200K | Tranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N | Philips |
| 1311299 | PSMN1R0-25YLD | Canal N 25 V, 1,0 mÎ, 240 A MOSFET la nivel logic în LFPAK56 folosind tehnologia NextPowerS3 | Nexperia |
| 1311300 | PSMN1R0-30YLC | N-canal 30 V nivel de 1,15 mW logica MOSFET în LFPAK folosind tehnologia NextPower | Nexperia |
| 1311301 | PSMN1R0-30YLC | N-canal 30 V nivel de 1,15 mW logica MOSFET în LFPAK folosind tehnologia NextPower | NXP Semiconductors |
| 1311302 | PSMN1R0-30YLD | Canal N 30 V, 1,0 mÎ ©, MOSFET de nivel logic 300 A în LFPAK56 folosind tehnologia NextPowerS3 | Nexperia |
| 1311303 | PSMN1R0-30YLD | N-canal de 30 V, 1,0 mW nivel de logica MOSFET în LFPAK56 folosind NextPowerS3 Technology | NXP Semiconductors |
| 1311304 | PSMN1R0-40SSH | Canal N 40 V, 1 mÎĐ, 325 Amperi continuu, MOSFET de nivel standard în LFPAK88 utilizând tehnologia NextPowerS3 | Nexperia |
| 1311305 | PSMN1R0-40ULD | Canal N 40 V, 1,1 mÎ, 280 A MOSFET la nivel logic în pachetul îmbunătățit SOT1023A pentru UL2595, utilizând tehnologia NextPower-S3 Schottky-Plus | Nexperia |
| 1311306 | PSMN1R0-40YLD | Canal N 40 V, 1,1 mÎ, 280 A MOSFET la nivel logic în LFPAK56 folosind tehnologia NextPower-S3 Schottky-Plus | Nexperia |
| 1311307 | PSMN1R0-40YSH | Canal N 40 V, 1 mÎ ©, 290 MOSFET de nivel standard în LFPAK56E utilizând tehnologia NextPower-S3 Schottky-Plus | Nexperia |
| 1311308 | PSMN1R1-25YLC | N-channel 25 V nivel de 1,15 mW logica MOSFET în LFPAK folosind tehnologia NextPower | Nexperia |
| 1311309 | PSMN1R1-25YLC | N-channel 25 V nivel de 1,15 mW logica MOSFET în LFPAK folosind tehnologia NextPower | NXP Semiconductors |
| 1311310 | PSMN1R1-30EL | N-channel MOSFET 30 V nivel de 1,3 mW logică în I2PAK | Nexperia |
| 1311311 | PSMN1R1-30EL | N-channel MOSFET 30 V nivel de 1,3 mW logică în I2PAK | NXP Semiconductors |
| 1311312 | PSMN1R1-30PL | N-channel MOSFET 30 V nivel de 1,3 mW logică în TO-220 | Nexperia |
| 1311313 | PSMN1R1-30PL | N-channel MOSFET 30 V nivel de 1,3 mW logică în TO-220 | NXP Semiconductors |
| 1311314 | PSMN1R1-40BS | N-channel 40 V 1,3 mW MOSFET nivel standard în D2PAK | Nexperia |
| 1311315 | PSMN1R1-40BS | N-channel 40 V 1,3 mW MOSFET nivel standard în D2PAK | NXP Semiconductors |
| 1311316 | PSMN1R2-25YL | N-channel 25 V nivel de 1,2 mW logica MOSFET în LFPAK | Nexperia |
| 1311317 | PSMN1R2-25YL | N-channel 25 V nivel de 1,2 mW logica MOSFET în LFPAK | NXP Semiconductors |
| 1311318 | PSMN1R2-25YLC | N-channel 25 V nivel de 1,3 mW logica MOSFET în LFPAK folosind tehnologia NextPower | Nexperia |
| 1311319 | PSMN1R2-25YLC | N-channel 25 V nivel de 1,3 mW logica MOSFET în LFPAK folosind tehnologia NextPower | NXP Semiconductors |
| 1311320 | PSMN1R2-25YLD | Canal N 25 V, 1,2 mΊ, 230 A MOSFET cu nivel logic în LFPAK56 folosind tehnologia NextPowerS3 | Nexperia |
