|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29446 | 29447 | 29448 | 29449 | 29450 | 29451 | 29452 | 29453 | 29454 | 29455 | 29456 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1178001MTP55N06ZTMOS POWER FET 55 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 18 mohmMotorola
1178002MTP5N05Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1178003MTP5N06Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1178004MTP5N06ETrans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1178005MTP5N20TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTEREMotorola
1178006MTP5N35MOSFET-uri de putere N-Channel, 5,5A, 350 V / 400VFairchild Semiconductor
1178007MTP5N35Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1178008MTP5N40MOSFET-uri de putere N-Channel, 5,5A, 350 V / 400VFairchild Semiconductor
1178009MTP5N40Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1178010MTP5N40ETMOS POWER FET 5,0 AMPERI 400 VOLȚI RDS (pornit) = 1,0 OHMMotorola
1178011MTP5N40ETrans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1178012MTP5N40E5 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 400ON Semiconductor
1178013MTP5N40E-DTMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon GateON Semiconductor
1178014MTP5N60Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1178015MTP5P06VTMOS POWER FET 5 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,450 OHMMotorola
1178016MTP5P06VMOSFET de putere 5 amperi, 60 de voltiON Semiconductor
1178017MTP5P06V-DMOSFET de putere 5 Amperi, 60 volți P-Channel TO-220ON Semiconductor
1178018MTP5P25TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTEREMotorola
1178019MTP60N05TMOS POWER FET 60 AMPERI 50 VOLȚI RDS (pornit) = 0,014 OHMMotorola
1178020MTP60N05HDLTMOS POWER FET 60 AMPERI 50 VOLȚI RDS (pornit) = 0,014 OHMMotorola
1178021MTP60N06TMOS POWER FET 60 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,014 OHMMotorola
1178022MTP60N06HDTMOS POWER FET 60 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,014 OHMMotorola
1178023MTP60N06HDMOSFET de putere 60 Amperi, 60 de voltiON Semiconductor
1178024MTP60N06HD-DPutere MOSFET 60 Amperi, 60 Volți N-Canal TO-220ON Semiconductor
1178025MTP6N10TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTEREMotorola
1178026MTP6N60Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A cu 3 pini (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1178027MTP6N60PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1178028MTP6N60N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALELOR PUTERE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1178029MTP6N60PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1178030MTP6N60ETMOS POWER FET 6,0 AMPERI 600 VOLȚI RDS (activat) = 1,2 OHMSMotorola
1178031MTP6N60EDomeniul de putere Effect TransistorON Semiconductor
1178032MTP6N60E-DTranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal NON Semiconductor
1178033MTP6P20ETMOS POWER FET 6,0 AMPERI 200 VOLȚI RDS (pornit) = 1,0 OHMMotorola
1178034MTP6P20EMOSFET de putere 6 Amperi, 200 VolțiON Semiconductor
1178035MTP6P20E-DMOSFET de putere 6 Amperi, 200 volți P-Channel TO-220ON Semiconductor
1178036MTP75N03HDLNIVEL LOGIC FET PUTERE TMOS 75 AMPERI RDS (activat) = 9,0 mOHM 25 VOLȚIMotorola
1178037MTP75N03HDLOBSOLETE - REPLACEMENT P / N # NTP75N03L09ON Semiconductor
1178038MTP75N03HDL-DMOSFET de putere 75 Amperi, 25 Volți, Nivel Logic Canal N TO-220ON Semiconductor
1178039MTP75N05HDTMOS POWER FET 75 AMPERES RDS (pornit) = 9,5 mW 50 VOLȚIMotorola
1178040MTP75N05HDINVECHITE - MOSFET de putere 75 Amperi, 50 de voltiON Semiconductor
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29446 | 29447 | 29448 | 29449 | 29450 | 29451 | 29452 | 29453 | 29454 | 29455 | 29456 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com