|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 28457 | 28458 | 28459 | 28460 | 28461 | 28462 | 28463 | 28464 | 28465 | 28466 | 28467 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1138441MJE253Tranzistor de putere cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
1138442MJE2534 TRANSISTORI DE PUTERE AMPERE SILICIU COMPLEMENTAR 100 VOLȚI 15 WATTSMotorola
1138443MJE253Trans GP BJT PNP 100V 4A cu 3 pini TO-126New Jersey Semiconductor
1138444MJE253Putere 4A 100V PNPON Semiconductor
1138445MJE254TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARECentral Semiconductor
1138446MJE254TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARECentral Semiconductor
1138447MJE254Trans GP BJT PNP 100V 4A cu 3 pini TO-126New Jersey Semiconductor
1138448MJE27015.000W Darlington NPN Transistor de plastic cu plumb. 100V Vceo, 4.000A Ic, 500 hFE.Continental Device India Limited
1138449MJE2702.0 AMPERE PUTERE COMPLEMENTARĂ DARLINGTON TRANSISTORI 100 VOLȚI 15 WATTSMotorola
1138450MJE270Putere 2A 100V NPN complementarăON Semiconductor
1138451MJE270Putere 2A 100V NPN complementarăON Semiconductor
1138452MJE270-DTranzistoare de putere complementare din siliciu NPNON Semiconductor
1138453MJE2712.0 AMPERE PUTERE COMPLEMENTARĂ DARLINGTON TRANSISTORI 100 VOLȚI 15 WATTSMotorola
1138454MJE271Putere 2A 100V PNPON Semiconductor
1138455MJE271Putere 2A 100V PNPON Semiconductor
1138456MJE2801TRANSISTORE DE PUTERE (10A / 60V / 75W)MOSPEC Semiconductor
1138457MJE2801BJTNew Jersey Semiconductor
1138458MJE2801TTranzistor de putere cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
1138459MJE2801TTRANSISTORE DE PUTERE (10A, 60V, 75W)MOSPEC Semiconductor
1138460MJE2801TBJTNew Jersey Semiconductor
1138461MJE2901TTranzistor de putere cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
1138462MJE2901TTRANSISTORE DE PUTERE (10A, 60V, 75W)MOSPEC Semiconductor
1138463MJE2901TBJTNew Jersey Semiconductor
1138464MJE2955TO-220 Tranzistoare biploare încapsulate din plasticMicro Commercial Components
1138465MJE2955TRANSISTORE DE PUTERE (10A, 60V, 75W)MOSPEC Semiconductor
1138466MJE2955-GTransistor General Purpose, V CBO = -70V, V CEO = -60V, V EBO = 5V, am C = -10AComchip Technology
1138467MJE2955TTranzistor de putere cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
1138468MJE2955T75.000W medie de putere PNP Transistor Plastic plumb. 60V Vceo, 10.000A Ic, 5 hFE.Continental Device India Limited
1138469MJE2955TPNP silicon tranzistorFairchild Semiconductor
1138470MJE2955TTRANSISTORE DE PUTERE (10A, 60V, 75W)MOSPEC Semiconductor
1138471MJE2955T10 AMPERE TRANSISTORI DE PUTENȚĂ SILICONIU COMPLEMENTARI 60 VOLȚI 75 WATTSMotorola
1138472MJE2955TTrans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin (3 + Tab) TO-220 CutieNew Jersey Semiconductor
1138473MJE2955TPutere 10A 60V PNP discretON Semiconductor
1138474MJE2955T-70 V, -10 A, tranzistor PNP siliciuSamsung Electronic
1138475MJE2955TPachet tranzistori de putere PNP silicon TO-220Savantic
1138476MJE2955TTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
1138477MJE2955TTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
1138478MJE2955TTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTAREST Microelectronics
1138479MJE2955TPNP, siliciu putere tranzistor plastic. Proiectat pentru uz general de comutare și aplicarea amplificator. Vceo = 60VDC, VCB = 70Vdc, Veb = 5VDC Ic = 10Adc, PD = 75W.USHA India LTD
1138480MJE2955TSILICON TRANSITOR PLANAR EPITAXIALWing Shing Computer Components
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 28457 | 28458 | 28459 | 28460 | 28461 | 28462 | 28463 | 28464 | 28465 | 28466 | 28467 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com