| 1138321 | MJE18006-D | SWITCHMODE NPN tranzistor de putere bipolar pentru aplicații de alimentare cu comutare | ON Semiconductor |
| 1138322 | MJE18008 | TRANSISTOR DE PUTERE 8,0 AMPERI 1000 VOLȚI 45 și 125 WATTS | Motorola |
| 1138323 | MJE18008 | Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin (3 + Tab) TO-220AB Rail | New Jersey Semiconductor |
| 1138324 | MJE18008 | SWITCHMODE ™ NPN Tranzistor de putere bipolar pentru aplicații de alimentare cu comutare | ON Semiconductor |
| 1138325 | MJE18008 | Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220C | Savantic |
| 1138326 | MJE18008-D | SWITCHMODE NPN tranzistor de putere bipolar pentru aplicații de alimentare cu comutare | ON Semiconductor |
| 1138327 | MJE18009 | TRANSISTORI DE PUTERE 10 AMPERI 1000 VOLȚI 50 și 150 WATTS | Motorola |
| 1138328 | MJE18009-D | SWITCHMODE NPN Silicon Power Transistor tranzistor | ON Semiconductor |
| 1138329 | MJE180STU | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 1138330 | MJE181 | Tranzistor de putere cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 1138331 | MJE181 | 12.500W medie de putere NPN Transistor de plastic cu plumb. 60V Vceo, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1138332 | MJE181 | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 1138333 | MJE181 | TRANSISTORE DE PUTERE (3.0A, 40-80V, 12.5W) | MOSPEC Semiconductor |
| 1138334 | MJE181 | 3 TRANSISTORI DE PUTERE AMPERE SILICIU COMPLEMENTAR 60-80 VOLȚI 12,5 WATTS | Motorola |
| 1138335 | MJE181 | Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin TO-126 Cutie | New Jersey Semiconductor |
| 1138336 | MJE181 | Putere 3A 60V NPN | ON Semiconductor |
| 1138337 | MJE181 | 60 V, 3 A, NPN epitaxial de siliciu tranzistor | Samsung Electronic |
| 1138338 | MJE181 | Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-126 | Savantic |
| 1138339 | MJE181STU | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 1138340 | MJE182 | Tranzistor de putere cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 1138341 | MJE182 | 12.500W medie de putere NPN Transistor de plastic cu plumb. 80V Vceo, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1138342 | MJE182 | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 1138343 | MJE182 | TRANSISTORE DE PUTERE (3.0A, 40-80V, 12.5W) | MOSPEC Semiconductor |
| 1138344 | MJE182 | 3 TRANSISTORI DE PUTERE AMPERE SILICIU COMPLEMENTAR 60-80 VOLȚI 12,5 WATTS | Motorola |
| 1138345 | MJE182 | Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin TO-126 Cutie | New Jersey Semiconductor |
| 1138346 | MJE182 | Putere 3A 80V NPN | ON Semiconductor |
| 1138347 | MJE182 | 60 V, 3 A, NPN epitaxial de siliciu tranzistor | Samsung Electronic |
| 1138348 | MJE182 | Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-126 | Savantic |
| 1138349 | MJE182 | TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1138350 | MJE182 | TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1138351 | MJE182 | TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARE | ST Microelectronics |
| 1138352 | MJE18204 | TRANSISTORE DE PUTERE 5 AMPERI 1200 VOLȚI 35 și 75 WATTS | Motorola |
| 1138353 | MJE18204 | SWITCHMODE ™ NPN bipolar de putere tranzistor pentru Electronic de lumina pentru balast și aplicații de comutație Alimentare | ON Semiconductor |
| 1138354 | MJE18204-D | SWITCHMODE NPN Tranzistor de putere bipolar pentru balast de lumină electronic și aplicații de alimentare cu comutare TRANSISTORE DE PUTERE 5 AMPERI 1200 VOLȚI 35 și 75 WATTS | ON Semiconductor |
| 1138355 | MJE18206 | TRANSISTORI DE PUTERE 8 AMPERI 1200 VOLȚI 40 și 100 WATTS | Motorola |
| 1138356 | MJE18206 | SWITCHMODE ™ NPN bipolar de putere tranzistor pentru Electronic de lumina pentru balast și aplicații de comutație Alimentare | ON Semiconductor |
| 1138357 | MJE182STU | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 1138358 | MJE18604 | TRANSISTORE DE PUTERE 3 AMPERI 1600 VOLȚI 100 WATTS | Motorola |
| 1138359 | MJE18604D2 | TRANSISTORE DE PUTERE 3 AMPERI 1600 VOLȚI 100 WATTS | Motorola |
| 1138360 | MJE200 | Tranzistor de putere cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
