|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Brilliance Semiconductor

Datasheet Catalog - Pagina 3

Datasheet-uri găsite :: 1245Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
Nr.NumeDescriere
101BS616LV1012AIG55CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
102BS616LV1012AIG70CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
103BS616LV1012AIP55CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
104BS616LV1012AIP70CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
105BS616LV1012ECCMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
106BS616LV1012EC-55CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
107BS616LV1012EC-70CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
108BS616LV1012ECG55CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
109BS616LV1012ECG70CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
110BS616LV1012ECP55CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
111BS616LV1012ECP70CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
112BS616LV1012EICMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
113BS616LV1012EI-55CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
114BS616LV1012EI-70CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
115BS616LV1012EIG55CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
116BS616LV1012EIG70CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
117BS616LV1012EIP55CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
118BS616LV1012EIP70CMOS SRAM de putere / tensiune foarte mică
119BS616LV10131M (64Kx16) biți asincroni RAM statică
120BS616LV10151M (64Kx16) biți asincroni RAM statică
121BS616LV10161M (64Kx16) biți asincroni RAM statică
122BS616LV161Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
123BS616LV161116M (1Mx16) biți asincroni RAM statică
124BS616LV161316M (1Mx16) biți asincroni RAM statică
125BS616LV1613FCPutere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
126BS616LV1613FC-55Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
127BS616LV1613FC-70Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
128BS616LV1613FCG55Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
129BS616LV1613FCG70Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
130BS616LV1613FCP55Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
131BS616LV1613FCP70Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
132BS616LV1613FIPutere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
133BS616LV1613FI-55Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
134BS616LV1613FI-70Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
135BS616LV1613FIG55Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
136BS616LV1613FIG70Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
137BS616LV1613FIP55Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
138BS616LV1613FIP70Putere / tensiune CMOS foarte redusă SRAM 1M X 16 biți
139BS616LV161516M (1Mx16) biți asincroni RAM statică
140BS616LV162216 biți asincroni (2Mx8 sau 1Mx16 comutabili) biți RAM statică
141BS616LV162316 biți asincroni (2Mx8 sau 1Mx16 comutabili) biți RAM statică
142BS616LV1623TCTensiune redusă CMOS SRAM 1M x 16 sau 2M x 8 biți comutabilă
143BS616LV1623TC-55Tensiune redusă CMOS SRAM 1M x 16 sau 2M x 8 biți comutabilă
144BS616LV1623TC-70Tensiune redusă CMOS SRAM 1M x 16 sau 2M x 8 biți comutabilă
145BS616LV1623TCG70Tensiune redusă CMOS SRAM 1M x 16 sau 2M x 8 biți comutabilă
146BS616LV1623TCP55Tensiune redusă CMOS SRAM 1M x 16 sau 2M x 8 biți comutabilă
147BS616LV1623TCP70Tensiune redusă CMOS SRAM 1M x 16 sau 2M x 8 biți comutabilă
148BS616LV1623TITensiune redusă CMOS SRAM 1M x 16 sau 2M x 8 biți comutabilă
149BS616LV1623TI-55Tensiune redusă CMOS SRAM 1M x 16 sau 2M x 8 biți comutabilă
150BS616LV1623TI-70Tensiune redusă CMOS SRAM 1M x 16 sau 2M x 8 biți comutabilă
Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 10 | 20 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/brilliancesemiconductor/1/