NDH853N datasheet sau date tehnice în format pdf - Lungime / Inaltime 1.02 mm Lățime 4.55 mm Adâncime 4,06 mm Puterea disipată de 1,8 W tranzistor polaritate N Codul canalului curent cont. 7,6 A Tensiune Vgs-lea max. 4,5 V Tensiune Vds max 30 V

NDH853N este fabricat de:

	Lungime / Inaltime 1.02 mm Lățime 4.55 mm Adâncime 4,06 mm Puterea disipată de 1,8 W tranzistor polaritate N Codul canalului curent cont. 7,6 A Tensiune Vgs-lea max. 4,5 V Tensiune Vds max 30 V	Downloadează sau descarcă NDH853N datasheet de la Fairchild Semiconductor	pdf 87 kb
	N-Channel Mode Enhancement efect de câmp tranzistor	Downloadează sau descarcă NDH853N datasheet de la National Semiconductor	PDF 176 kb

Vezi NDH853N în catalogul nostru