|
IRHG563110(N) este fabricat de:
|
| 100V 300kRad Hi-Rel Dual 2N și 2P-Channel MOSFET întărit TID într-un pachet MO-036AB Alte componente care au același fișier pentru datasheet: IRHG567110, IRHG567110(N), IRHG567110(P) |
Downloadează sau descarcă IRHG563110(N) datasheet de la International Rectifier |
pdf 186 kb |
| IRHG563110 | Vezi IRHG563110(N) în catalogul nostru | IRHG563110(P) |