GES5818 este fabricat de:
|
Planar pasivizat epitaxial tranzistor de siliciu NPN. 40V, 750mA. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: GES5814, GES5815, GES5816, GES5817, GES5819 |
Downloadează sau descarcă GES5818 datasheet de la General Electric Solid State |
pdf 218 kb |
GES5817-J1 | Vezi GES5818 în catalogul nostru | GES5818-J1 |