GES5817 este fabricat de:
|
Planar pasivizat epitaxial tranzistor de siliciu PNP. -40V, -750mA. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: GES5814, GES5815, GES5816, GES5818, GES5819 |
Downloadează sau descarcă GES5817 datasheet de la General Electric Solid State |
pdf 218 kb |
GES5816-J1 | Vezi GES5817 în catalogul nostru | GES5817-J1 |