GES5812 este fabricat de:
|
Planar pasivizat epitaxial tranzistor de siliciu NPN. 25V, 750mA. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: GES5810, GES5811, GES5813 |
Downloadează sau descarcă GES5812 datasheet de la General Electric Solid State |
pdf 94 kb |
GES5811-J1 | Vezi GES5812 în catalogul nostru | GES5812-J1 |