GES5810 este fabricat de:
|
Planar pasivizat epitaxial tranzistor de siliciu NPN. 25V, 750mA. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: GES5811, GES5812, GES5813 |
Downloadează sau descarcă GES5810 datasheet de la General Electric Solid State |
pdf 94 kb |
GES5551 | Vezi GES5810 în catalogul nostru | GES5810-J1 |