|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590

BF998R este fabricat de:
Infineon RF-MOSFET - VDS = 8V, gfs = 24mS, Gps = 28dB, F = 1dB

Alte componente care au același fișier pentru datasheet:
BF1005, BF998
Downloadează sau descarcă BF998R datasheet de la
Infineon
pdf
 253 kb 
NXP Semiconductors N-channel dual-gate MOSFET Downloadează sau descarcă BF998R datasheet de la
NXP Semiconductors
pdf
 126 kb 
Philips MOS-FET cu dublă poartă cu canal N din siliciu Downloadează sau descarcă BF998R datasheet de la
Philips
pdf
 82 kb 
Siemens Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (tranzistor cu canal scurt cu factor de calitate S / C ridicat)

Alte componente care au același fișier pentru datasheet:
Q62702-F1177
Downloadează sau descarcă BF998R datasheet de la
Siemens
pdf
 40 kb 
Vishay N-Channel Dual Gate MOS & Tetrode Fieldeffect, Mod de epuizare

Alte componente care au același fișier pentru datasheet:
BF998RW
Downloadează sau descarcă BF998R datasheet de la
Vishay
pdf
 169 kb 
BF998B Vezi BF998R în catalogul nostru BF998RA




© 2023 - Datasheet Catalog com